전자회로실험1 1주차예보

목차

I. 실험 제목

II. 실험 목적
1. 반도체
2. 반도체 재료와 불순물
3. 반도체 접합 다이오드의 동작원리
4. 순방향 전압-전류 특성
5. 저항계에 의한 반도체 다이오드 시험 (그럼1-7)
6. 다이오드의 음극과 양극의 구별
7. 저항계의 저전력 저항 측정 기능 (그림1-7)
8. 제 1 다이오드모델
9. 제 2 다이오드모델
10. 벌크저항
11. 제 3 다이오드모델

III. 기초 이론

IV. 실험 과정

V. Pspice 시뮬레이션

본문내용

1. 반도체
- 반도체 : 비저항 값이 도체와 절연체 사이에 있는 고체
- ex) 트랜지스터, 접합 다이오드, 지너 다이오드, 집적 회로, 금속 정류기 등
- 많은 제어 기능을 수행하며, 증폭기, 정류기, 검출기, 발진기, 스위칭 소자 등으로 이용
- 장점 : 외부충격에 강하다 / 전력소비가 적고 열의 방사 또한 적다. 예열시간이 필요없으며 전력을 인가하면 바로 동작한다. / 반도체는 외부환경 조건에 덜 민감하고 튼튼하다.
2. 반도체 재료와 불순물
- 대부분 반도체 소자는 GE, SI으로 만들어진다.
- 순수한 반도체는 매우 낮은 전기전도도를 갖는다. 실리콘의 전기전도도는 ‘impurity’을 첨가함으로 증가할 수 있다. 불순물의 종류와 양을 제어해서 첨가하는 것을 ‘doping’이라고 하며 도핑은 반도체 원소의 원자 내 전자 결합구조를 변화시켜 전류에 기여하는 carrie를 제공함으로써 반도체의 전기전도도를 증가시킨다.

참고 자료

없음