에너지하베스팅공학 : Rf기술_Energy Harvesting Engineering : Rf Technology

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목차

1. Outline
2. Principle
3. Materials & Circuits
4. Research Trends & Prospects
5. Conclusion

본문내용

Materials & Circuits_Materials
.Si Bulk CMOS
직접회로(IC)를 구현하는데 일반적인 기술
125℃까지의 온도에서 안정성과 신뢰성이 높음
그 이상의 온도에서는 성능에 직접적인 영향을 받아 Transistor가 손상
CMOS : p channel의 MOS Transistor와 n channel의 MOS를 서로 절연하여 동일 칩에 넣어 양자가 상보적으로 동작하도록 한 것

.SiC
Si 50%, C 50%로 구성
약 200개 이상 많은 종류의 결정구조가 존재
4H-SiC, 6H-SiC, 3C-SiC가 일반적인 구조
600℃까지 동작이 검증

.GaAs
고성능 통신에 적합
Transistor 구조 간단해 많은 집적 가능
높은 전력소모, 낮은 수율, 고가

.GaN
Si 기반 Transistor보다 10배 이상 높아 소형화와 경량회를 통해 30%이상의 전력절감이 가능
GaAs 기반에 비하여 높은 전력밀도와 효율을 보유

.Intrinsic Carrier Concentration : 전자 정공의 이동도에 수반되는 전류에 관한 도전율

참고 자료

없음