VLSI 프로젝트 보고서

목차

1. Microprocessor
1) 6T SRAM Cell
2) Precharge
3) Sense amplifier
4) Write Driver
5) MUX
6) Controller

2. 고찰

본문내용

고찰
처음 Sram unit cell을 설계할 때부터 조금씩 헷갈리는 부분이 있었다. PMOS와 NMOS의 사이즈를 얼만큼 다르게 설계해야 안정적인 신호를 만들 수 있을지 팀원들과 논문을 살펴보며 찾아보았다. 그리고 참고한 diagram에 표시가 안된 부분도 있어서 시뮬레이션이 정상적으로 되지 않아 어디가 잘못되었는지 찾는 과정에서 팀원들과 의견을 주고 받았다. 다행히 via가 빠져있었다는 것을 발견하여 정상 작동하는 unit cell을 만들 수 있었다. Precharge는 비교적 간단한 회로였다. 처음에는 unit cell로 설계하였으나 신호가 제대로 나오지 않아 사이즈를 크게 키워주었더니 안정적인 신호가 발생하였다. Sense Amp는 처음에는 잘 이해가 가지 않았다. 처음에는 1과 0으로 들어간 신호가 왜 1과 0으로 증폭된다고 하는거지 하고 생각했다. 하지만 공부해보니 unit cell에서 빠져나온 신호가 약해진다는 사실을 알게 되었고 그에 따른 Sense Amp의 원리에 대해 공부하게 되었다. 그리고 Write Driver에 data를 입력하여 그 data를 unit cell에 저장하는 쓰기 동작의 원리도 알게 되었다. Sense Amp와 Write Driver를 설계할 때는 비교적 안정적으로 진행하며 넘어갈 수 있었다. 그래서 unit cell 1개와 precharge, sense amp, write driver를 연결하여 시뮬레이션을 돌려본 결과 안정적으로 정상 동작하고 있다는 것을 확인할 수 있었다. Sram cell의 동작을 완전히 이해하고 넘어가게 되었고 8X4 SRAM을 완성하였다.
그리고 Decoder를 그리면서 6가지 신호를 MOSFET의 위치에 따라서 WORD 라인을 8개 만들어야했다. 처음 그릴 때는 조합이 겹치는 실수가 있었으나 시뮬레이션을 돌려본 결과가 겹치게 나와 수정할 수 있었다. 그리고 Inverter를 그리면서 poly의 위쪽에 그려놓았는데 불필요한 Area를 차지한다는 생각이 들었다.

참고 자료

없음