[A+, 심사통과]캠퍼스특허전략유니버시아드 자료 (저항성메모리)

소개글

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목차

Ⅰ. 문제 개요 ....................................................p.1
Ⅰ.1 관련 기사
Ⅰ.2 시장 동향
Ⅰ.3 문제 분석

Ⅱ. 기술 분석 ....................................................p.6
Ⅱ.1 기존의 memory 반도체
Ⅱ.2 차세대 memory 반도체

Ⅲ. 특허 분석 ....................................................p.19
Ⅲ.1 기술 분류도
Ⅲ.2 검색식 작성
Ⅲ.3 유효데이터 추출
Ⅲ.4 정량분석
Ⅲ.5 핵심 특허 추출
Ⅲ.6 정성 분석
Ⅲ.7 기술 전개도

Ⅳ. 미래 특허 전략 ............................................p.49

Ⅴ. 결론 ..........................................................p.53

Ⅵ. 참고 문헌 ...................................................p.56

본문내용

Ⅱ. 기술 분석

Ⅱ.1 기존의 memory 반도체
반도체 장치는 정류 작용, 증폭 작용, 전환 작용(ADC, DAC), 변환 작용(LED, CCD) 등을 수행할 수 있으며, 크게는 저장/기억 작용을 하는 메모리 반도체와 연산/제어 작용을 하는 시스템 반도체로 나눌 수 있다.
메모리 device는 시스템에 필요한 정보를 저장하는 장치로써, 지연회로를 이용한 메모리, 유전체를 이용한 메모리, 자기변화를 이용한 메모리 등이 있으며, 현재는 반도체를 기반으로 한 메모리 device를 사용한다. 이러한 메모리 반도체는 PC와 스마트폰과 같은 휴대용 기기, 디지털 카메라, SSD(Solid State Drive) 등에 이용된다.
메모리 반도체는 정전이 되면 기억 내용을 상실하는 휘발성 메모리와 정전이 되어도 저장된 정보를 기억하는 비휘발성 메모리로 크게 나뉘며, 대표적으로 각각 RAM(Random Access Memory) 과 ROM(Read Only Memory) 으로 구분되어 왔다.
RAM은 전원이 끊어지면 휘발유처럼 기록된 정보도 날아가기 때문에 휘발성 메모리이다. 따라서 RAM은 주로 컴퓨터의 주 기억장치, 응용 프로그램의 일시적 로딩, 데이터의 일시적 저장 등에 사용이 되며, 대표적으로 SRAM, DRAM이 있다.
SRAM(Static Random Access Memory)은 플립플롭 방식의 메모리 셀을 가진 기억장치로서 전원 공급이 계속되는 한 저장된 내용을 계속 기억하며, 소비전력이 적고 D램에 비해 정보처리속도가 6배나 빨라 (5 ~ 20ns) 주로 PC의 수치 계산 용도, Cache memory 등에 이용된다.
하지만 하나의 cell에 여러 transistor를 사용하는 플립플롭 방식을 사용하기 때문에, DRAM 보다 집적도가 1/4 정도로 낮고, 가격이 비싸다는 단점이 있다.

DRAM(Dynamic Random Access Memory) 은 하나의 셀에 하나의 transistor 와 capacitor를 포함하는 기억장치로서, capacitor에 전하가 charge 되어 있는 유무로써, 정보를 기억하는 소자이다.

참고 자료

http://www.zdnet.co.kr/view/?no=20190717151132
http://www.industrytap.com/reram-will-new-memory-device-replace-flash/43748
http://blog.skby.net/reram-resistance-ram/
https://www.msesupplies.com/blogs/news/3d-reram-a-promising-candidate-for-high-density-high-speed-non-volatile-memory-nvm
http://www.smtfocus.co.kr/article/print.asp?idx=893
http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=pressure333&logNo=220642320144
http://biz.chosun.com/site/data/html_dir/2016/10/17/2016101703709.html
http://magazine.hankyung.com/business/apps/news?popup=0&nid=01&c1=1011&nkey=2018090301188000171&mode=sub_view
http://www.ddaily.co.kr/news/article/?no=183640
중국의 반도체 굴기 추진과 향후 전망에 관한 리포트 - KDB미래전략연구소 미래전략개발부
신 메모리 소자의 개발현황 및 전망 – Vacumm magazine 반도체 소자 및 공정기술 특집
메모리반도체시장 및 기술 동향 – S&T Market Report vol 32. 2015. 08
차세대 메모리 반도체의 개발 동향과 시장 환경 변화 전망 – 산업은행
PRAM 기술 전망 - 전자통신동향분석 제20권 제6호
IDEC Newsletter vol 27
ISSCC 2010으로 본 신메모리 동향 – sillicontimes 2010 02 23