06-전자회로실험-결과보고서

목차

1. 실험 목표
2. 실험결과
3. 결론 및 토의
4. 고찰
5. 참조 문헌

본문내용

표3을 이용하여 실험회로의 측정값을 비교해 동작영역을 구하였으며, 의 값은 데이터시트에는 최소값과 최대값의 관계를 보여주고 있고, 실험에서의 우리의 조건과 일치하지 않는 부분이 많이 있다. 따라서 실험에서 차단영역 일 때는 전류가 흐르지 않고, 포화영역에서 흐르기 시작하는 것으로 의 값을 대신한다면 조금 더 정확한 값을 구할 수 있다. 측정한 값에서 차단영역으로 나타내어진 부분을 이용하여 을 구하면 약 1V로 생각할 수 있다.

<중 략>

바이어스 포인트는 실험1에서 1.9V에서 2V 사이의 값이 바이어스 포인트임을 알 수 있고, 이를 통해 실험 회로 2를 구성하였으며, 실험회로 2에서 R1은 166K R2는 33K을 사용해서 VDD에서 전압을 분배하여 입력전압을 구성하였다. (VDD의 값 +12V) 이　때 회로에 걸리는 바이어스 포인트의 값은 1.9612V로 나왔고, 의 값은 42.832 mA가 나왔다.

<중 략>

실험회로 1에서는 정확한 바이어스 포인트를 측정하여 소신호 등가모델로 바꾸었을 때, 정확한 측정값이 나올 수 있도록 하는 것이 실험의 주요한 목적이다. 입력전압이 약 1.9 ~ 2 V 사이일 때, 바이어스 포인트를 보이는 것을 실험 값을 통해 알 수 있었다. 또한 이를 바탕으로 소신호 해석을 해야 하지만 정확한 바이어스 포인트를 잡지 못하는 실험상의 한계와 정확한 와 얼리전압을 알 수 없기 때문에 정확한 해석을 하기 에는 힘든 부분이 있다. 또한 근사적으로 구한 얼리저항의 값도 을 이용해 구할 수 밖에는 없어서 정확한 얼리저항의 값을 갖기 힘든 부분이 있다. 이를 바탕으로 전압이득을 구한다면, 정확한 바이어스 포인트를 찾지 못했기 때문에, 이상적인 값과 멀어지는 부분이 있으며 또한 얼리저항의 값도 정확한 값이 아니기 때문에, 정확한 전압이득을 구하기는 힘든 부분이 있다.

참고 자료

이강윤 지음 [단계별로 배우는 전자 회로 실험] 제 1판 한빛 미디어 p.177 ~ 190 (공통 소오스 증폭기)
Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith 지음 [Microelectronic Circuits] 제 6판 한티 미디어 p.378 ~ 498 (MOS 전계 효과 트랜지스터 (MOSFET))