경북대 기초전기전자실험 A+ Semiconductor

소개글

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목차

Ⅰ. 다이오드 특성실험
1. 실험 목적
2. 원리 및 이론
3. 실용사례
4. 실험 과정
5. 실험 결과

Ⅱ. 제너 다이오드 특성실험
1. 실험 목적
2. 원리 및 이론
3. 실용사례
4. 실험 과정
5. 실험 결과
6. 고찰

Ⅲ. OP Amp 특성 실험
1. 실험 목적
2. 원리 및 이론
3. 실용사례
4. 실험 과정
5. 실험 결과
6. 고찰

Ⅳ. 트랜지스터
1. 원리 및 이론
2. 실용사례

Ⅶ. 출 처

본문내용

1. 실험 목적
게르마늄 다이오드와 실리콘 다이오드의 원리와 특성을 알아보고, 이를 통해 회로를 이해한다.

2. 원리 및 이론
다이오드란 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체 부품이다. 트랜지스터도 반도체이지만, 다이오드는 특히 이와 같은 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 하는 것을 목적으로 하고 있다. p형 반도체와 n형 반도체를 접합하고 양단에 금속단자를 부착하면 전기적으로 2극 반도체가 되는데 이를 다이오드라 한다. 반도체의 재료는 실리콘(규소)이 많지만, 그 외에 게르마늄, 셀렌 등이 있다. 회로기호는 가 사용된다.
정상상태의 다이오드는 전위장벽 때문에 캐리어 (전하의 운반자) 의 이동이 없어서 부도체이다. 그러나 외부에서 적절한 전압을 인가하면 전위장벽을 줄여서 도체를 만들 수 있고, 반대로 결선하여 더욱 확실한 부도체를 만들 수 있다. 이런 외부의 전압을 바이어스라고 한다.

(+)를 P형에, (-)를 N형에 연결한 것을 순방향이라고 한다. 순방향으로 전압을 가하면, 정공과 전자는 결핍층에서 서로 부딪히지만, 각각 (+)와 (–)의 전하를 가지고 있으므로 중화하는 모양이 되어 전원에서 연속해서 전류가 흐르게 된다.

* n형 반도체내의 전자는 전원의 -에 의해서 반발 당하고 전원의 +측에서는 끌어당기므로 전자는 n형에서 p형 쪽으로 이동.
* p형 반도체내의 정공은 전원의 +에 의해서 반발 당하고 전원의 -측에서는 끌어당기므로 정공은 p형에서 n형 쪽으로 이동.
* 이와 같이, 순방향 전압에 의해 내부에 형성된 전기장을 약하게 함으로써 정공이나 전자 는 이동하기 쉬워져 p형에서 n형 쪽으로 전류가 흐른다.

(-)를 P형에, (+)를 N형에 연결한 것을 역방향이라고 한다. 역방향으로 전압을 가하면 가해진 전기장의 방향에서 말해서, 정공과 전자는 서로 반대방향으로 움직인다. 이 때문에 결합면에 캐리어가 없어져 버려서 결핍층이 부도체로 된 것과 똑같이 된다.

* 정공은 (+) 성질을 띄고 있으므로 전원의 -측에 끌려가고 전자는 (-)성질을 띄고 있으므 로 전원의 +측에 끌려간다.

참고 자료

http://www.ktechno.co.kr/ls_parts/parts04.html
[네이버 지식백과] 제너 다이오드 [Zener diode] (용어해설)
위키피디아 – 제너 다이오드
http://xenon87.tistory.com/58
http://ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=4568&id=904
[네이버 지식백과] 트랜지스터 [transistor] (두산백과)
http://samsungsemiconstory.com/670