반도체 나노입자의 분광학적 성질 예비

목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론 및 배경
3. 장치 및 시약
4. 실험 방법
5. 참고 문헌

본문내용

실험 목적
최근 분자계와 벌크의 중간적인 크기를 가진 나노입자(nanoparticle, nanocrystal or quantum dot)들의 합성과 이들의 성질에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 반도체 나노입자를 합성하고 그 분광학적 성질을 관찰하여 크기와 분광학적 성질 사이의 관계를 고찰한다.

실험 이론 및 배경
보통 벌크의 반도체 상의 전자 에너지 상태는 띠이론(band theory)에 의하여 설명된다. 고체를 구성하고 있는 무한히 많은 원자는 각각 원자의 에너지 준위가 매우 가까이 접근되어 있어 결합을 나타내는 분자궤도 함수의 에너지 준위들은 연속되어 있는 것처럼 생각할 수 있는데, 이것을 에너지 띠(band)라고 부른다. 원자가 결합하여 분자가 될 때 결합 궤도함수와 반결합 궤도함수가 생성되는 것과 마찬가지로 고체의 띠도 결합 띠와 반결합 띠가 형성된다. 그리고 반도체는 가장 높은 채워진 결합 띠를 원자가띠(valence band)라 하고 가장 낮은 안 채워진 반결합 띠를 전도띠(conduction band)라 한다.

참고 자료

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