Flash memory 개념과 종류 및 특징

목차

1. Flash memory
2. Floating gate Flash memory
3. Charge Trap flash memory
4. MLC Flash memory
5. 3D Flash memory

출처

본문내용

Flash memory
플레시 메모리(Flash memory)는 지속적으로 전원을 공급받는 비활성 메모리로서 블록이라고 불리는 메모리 단위로 지울 수 도 있고 프로그램 할 수도 있습니다. 이러한 이름을 갖게 된 것은 마이크로칩이 메모리 셀의 한 영역이 단일 실행, 즉 ‘플래시’로 쉽게 지울 수 있도록 구성되었기 때문입니다. EEPROM의 집적도 한계를 극복하기 위해서 블록별 일괄 소거 방식의 1T(1Transistor) 구조를 가지고 있고 전기적인 방법으로 정보를 자유롭게 입출력이 가능 합니다. 또한 전력소모가 적고 고속프로그래밍이 가능하다는 특징을 가지고 있습니다.
이러한 플래시 메모리의 대표적인 형태는 NOR-type과 NAND-type으로 나누어집니다.

NOR-type Flash memory
NOR 메모리는 각 셀이 병렬 형태로 이루어져 있어서 데이터 Read시 Random Access가 가능합니다. 즉, Read 속도가 빠릅니다. 하지만, 데이터를 덮어쓰는 것이나 지우는 것은 Random Access가 불가능하기 때문에 그 속도가 느립니다. Read시에는 페이지 단위로 읽어들일 수 있지만, 해당 페이지를 덮어쓰거나 지우는 것은 모든 블럭을 지워야 하기 때문에 그 속도가 느립니다. (NAND 메모리의 경우는 블럭이 여러 페이지로 나누어져 있어서 쓰기/지우기 속도가 더 빠릅니다.) 각 셀이 병렬 형태로 이루어져 있기 때문에 각 셀을 개별적으로 접근하기 위한 전극이 필요하게 되고 그 덕분에 NAND 형태에 비해 필요한 면적이 넓어진다는 단점이 있습니다. 그 덕분에 집적도가 낮아져서 대용량 메모리는 다소 불리한 형태입니다.

<중 략>

loating gate Flash memory
실제 낸드 플래시의 칩 사진이다. 칩은 여러개의 블록으로 이루어져 있다.

각 블록은 옆 그림처럼 이뤄진다. 비트라인에서 소스->드레인 방향으로 전류가 흐른다. 게이트로 이뤄진 워드라인은 실제 데이터를 읽고 쓰는 작업에 사용된다. 두라인이 교차되는 곳이 낸드 플래시 메모리에서 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀(Cell), 즉 트랜지스터가 위치한다.

참고 자료

http://snowbora.tistory.com/357 [눈보라 이야기]
네이버 블로그 NEO가 사는 세상
tistory_싸이on™의 하드코딩
디지털데일리-한주엽기자 기사
캐플의 꿈꾸는 블로그-낸드 플래시 메모리의 구조와 SLC, MLC, TLC 방식의 차이
Semiconductor Memory Laboratory-YonSei University
SK hynix 하이라이트- 최은석 수석 3D NAND
삼성 반도체 이야기-3차원 수직구조 낸드 플래시