semiconductor fabrication processes 과제1

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- Explain the semiconductor fabrication processes
우선 반도체 공정 과정은 크게 3가지 순서로 이루어진다. 첫 번째로 웨이퍼 제조 및 회로설계, 두 번째로 웨이퍼 가공, 마지막으로 조립 및 검사이다.

첫 번째 웨이퍼 제조 및 회로 설계의 상세 과정은 아래와 같다.

1. 단결정 성장 : 고순도로 정제된 실리콘 (규소) 용액을 회전시키면서 실리콘 기둥(봉)을 만든다.

2. 실리콘 봉 절단: 규소 기둥을 똑같은 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다. 웨이퍼의 크기는 규소 봉의 크기에 따라 3“, 4”, 6“, 8”로 만들어지고 점점 대구경화 경향을 보이고 있다.

3. 웨이퍼 표면 안마: 웨이퍼의 한쪽 면을 닦아 거울처럼 반질거리게 만들어 준다. 이 연마된 표면에 전자 회로의 패턴을 그려 넣게 된다.

4. 회로 설계 : 컴퓨터 시스템(CAD)을 이용해 전자회로 패턴을 설계한다. 실제 웨이퍼 위에 새겨질 회로패턴을 설계한다.

참고 자료

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