전력전자설계 실습3 스위치특성및필터 예비레포트

목차

1. 스위칭소자의 종류(MosFET 및 BJT를 포함한 최소 4가지 이상) 및 특성
2. BJT(Bipolar Junction Transister)의 구조 및 스위칭 특성
3. Mos-FET의 구조 및 스위칭 특성
4. L-C 필터의 특성 및 응용

본문내용

1. 스위칭소자의 종류(MosFET 및 BJT를 포함한 최소 4가지 이상) 및 특성.
1) BJT
Bipolar Junction Transister의 약자이다.
접합형 트랜지스터이다.
베이스전류로 스위칭 한다.
PNP형과 NPN형이 있으며 소신호용부터 전력용까지 종류가 다양하다.
가장 널리 쓰이는 소자이다.

2) MOSFET
Metal Oxide Semiconducter FET의 약자이다.
금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터이다.
흔히 모스팻이라고 부른다.
우리에게 매우 친숙한 소자이다.
확장형과 공핍형이 있으나 확장형이 훨씬 더
많이 사용되며 우리가 사용하는 MOSFET은
대부분 확장형이다.
- 확장/인핸스먼트형(enhancement type) = 노멀리 오프형(norm ally off type)
게이트 전압을 걸지 않을 때 채널이 존재하지 않고 드레인 전류가 흐르지 않는 것이다.
- 공핍/디플리션형(depletoin type) = 노멀리 온형(norm ally on type)
게이트 전압을 걸지 않을 때 채널이 존재해서 드레인 전류가 흐르는 것이다.
- 확장형은 전자의 이동경로(채널)을 확장시키는 것을 말하고, 공핍형은 열려있는 채널을 좁히는 것을 말한다. 공핍형은 닫힌 스위치, 확장형은 열린 스위치에 해당된다.

3) SCR 사이리스터
실리콘제어정류기는 사이리스터로서 처음 개발된 상품명이지만 현 사이리스터를 대표하는 명칭이다.
pnpn 접합의 4층 구조이다.
2개의 pn 접합 순방향 다이오드 사이에
1개의 np 접합 역방향 다이오드를 안에 품고 있는 모습이다.
양극과 음극 사이에 np 역방향 접합의 p층에 게이트(Gate, G) 제어 단자를 별도로 달아놓은 것이다.
Gate를 통해 트리거 펄스를 입력시키면 순간적으로 역방향 항복전압이 무너지면서 평범한 순방향 다이오드처럼 도통한다.
SCR 게이트의 역할 : np 역방향 항복 전압을 제어하기 위한 것
사이리스터는 무접점 ON/OFF 스위치로 동작하는 반도체 소자이다.

참고 자료

없음