Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 예비

소개글

Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조 예비

목차

1. 목적
2. 이론
3. 실험방법
4. 참고문헌

본문내용

1. 목적
Thermal Evaporation법을 사용하여 발광박막의 제조를 통하여 박막재료 제조 공정의 이해를 돕는다.

2. 이론

전자 장치 중에는 MOS형 트랜지스터와 같이 Bulk 결정의 맨 끝 표면층만을 활성층으로 사용하는 것과
Planar 트랜지스터 또는 집적회로 디바이스와 같이 Bulk 결정 내에 PN접합이 만들어지며 그 끝부분이
결정 표면에 나타나는 구조로 되어있는 것 등 결정표면의 특성이 디바이스 전체의 특성에 기여하고
있는 예가 많다. 표면층의 특성은 외부의 분위기에 좌우되기 때문에 디바이스의 특성이 사용 중에 불안
정하게 되는 경우가 있고 이것을 방지할 목적으로 결정표면을 절연물의 얇은 막으로 보호하는 방법이
채택되고 있다. 그러나 Bulk 결정과 절연 막과는 재료물성도 다르고 또 절연 막의 형성법에 따라서는
bulk 결정 표면층 자체의 구조와 특성이 영향을 받아 원래의 표면층과는 다른 성질을 나타내는 것도
많아 결정과 절연 막과의 경계성질을 제어하는 것은 대단히 어려운 기술로 되어있다. 또, 절연 막의
이용은 위에서 기술한 표면층의 보호라는 목적이외에도 집적회로 디바이스에 있어서 배선간의 절연,
또는 디바이스간의 전기적인 분리 등 디바이스의 구조재료로 사용되며, 또한 미세구조 디바이스를
제작하는 단계에서 불순물의 확산과 이온주입, 또는 에칭 등의 처리를 국부적으로 한정하기 위한
마스크재료로 사용되는 등 많은 예를 들 수 있다.

<중 략>

㉠ 기판 세정
1) 준비된 glass를Acetone, Methanol, DI Water 순으로 각각 거즈를 이용하여 세척을 한다.
2) 세척 후 N2 기체로 blow drying 한다.
3) 잔류 유기물과 수분을 제거하기 위해서 Convection Oven에서 10분간 건조시킨다.
㉡ 막증착
1) 세정된 기판 위에 shadow mask를 씌우고, crucible에 알루미늄을 넣는다.
2) Thermal evaporator chamber 안에 (1)에서 준비된 기판과 시료를 넣는다.
3) RP(rotary pump)와 DP(diffusion pump)을 사용하여 chamber 내의 진공도 10-5～10-6 torr로 유지시킨다.

참고 자료

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