메모리의 기본원리와 첨단기술 현황

소개글

메모리의 기본원리와 첨단기술 현황 보고서 자료입니다.

기본원리부터 현재 시장동향까지 잘나와있습니다.

목차

1. 트랜지스터
① Transistor
② Transistor Type( BJT, FET)
③ Transistor Principle
④ Transistor as a Switch and an Amplifier

2. 메모리 소자
① 차세대 비활성 메모리 소자
② ReRAM
③ PRAM

본문내용

1. 트랜지스터
① Transistor : 트랜지스터는 transit resistor 의 조어로서 주로 전기적인 신호나 전력을 증폭 또는 스위칭시키는 역할을 하는 반도체 소자이다. 트랜지스터는 회로와 연결되는 적어도 세가지의 이미터, 베이스, 컬렉터라는 터미널로 구성되어 있다. 이미터와 베이스에 전압이나 전류를 인가하게 되면 베이스와 컬렉터 사이의 전기전도도가 증가하게 되고, 이것으로 전류흐름을 제어하게 되는 것이다. 트랜지스터는 이러한 제어 기능으로 주로 증폭기, 스위치, 논리회로, RAM등을 구성하게 되는데 이용된다. 트랜지스터는 크게 Bipolar junction transistor 와 Field effect transistor로 분류할 수 있다.

② Transistor Type( BJT, FET)
BJT와 FET의 차이점은 BJT는 Base에 의해서 Base와 Emitter 사이의 공핍층의 영역을 줄여서 이미터의 전자를 베이스로 쉽게 끌어들이고, 컬렉터에 걸린 강한 전기장의 힘으로 베이스와 컬렉터 사이의 접합층 근처의 전자를 끌어올려 전류가 흐르게 되어있다. 베이스 신호를 통해 마치 저항과 같은 특성으로 컬렉터에 흐르는 전류를 휙휙 변하게 해주는 것이다. 반면에 FET는 Gate에 알맞은 전압을 걸어주면 Gate에 걸린 전압으로 생긴 전기장의 힘으로 채널을 형성하여 소스에서 드레인으로 전자가 이동하게 되어있다. 즉, 단순히 전기장의 힘으로만 관여하기 때문에 BJT와는 다른 특성이라고 할 수 있다.

③ Transistor Principle
A) transistor의 구조와 작동에 대한 그림이다. 일단 용어를 다시 살펴보면, 그림의 이미터라는 것은 전류의 캐리어로 주입하는 전류를 공급하는 부분을 말하는 것이고, 베이스는 주입된 캐리어를 제어하는 전류를 공급하는 곳이다. 마지막으로 컬렉터는 전류의 캐리어를 모으는 부분의 전극이다. 구조는 pn접합 2개를 맞대어 붙인 형태로 되어 있으며, pnp형과 npn형이 있다. 오른쪽 그림의 트랜지스터 기호에서 화살표는 이미터와 베이스의 접합이 순방향으로 바이어스 되었을 때의 전류가 흐르는 방향을 표시한 것이다.

참고 자료

없음