[공학]sram dram에 관한 조사
- 최초 등록일
- 2007.04.08
- 최종 저작일
- 2007.04
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소개글
메모리 개괄과 sram과 dram의 동작원리, 종류, 장단점등을 다룬 보고서이다.
한글 2002로 작성하였고 윤고딕 폰트를 사용하였습니다.
목차
메모리 개괄
1.반도체 메모리란?
2.반도체 메모리의 분류
3.RAM
4.rom
5.차세대메모리
6.fet와 MOSFET의 정의와 구동원리
DRAM
1.정의/특징
2.셀구조
3.작동원리/작동순서
4.액세스방법
5.REFRESH의 필요성
6. 종류
SRAM
1.구조
2.구동원리
3.종류
4.용도
본문내용
■ 메모리 개괄
1. 반도체 메모리란?
정보의 저장 매체로 사용되는 반도체 소자
2. 반도체 메모리의 분류
반도체 메모리 IC
∙휘발성 - DRAM, SRAM ,VRAM
∙비휘발성 - MROM, PROM(UV EROM,OTPROM,EEPROM,플래시메모리), 차세대 메모리(PRAM, MRAM, FeRAM)
DRAM의 refresh가 필요한 이유
∙DRAM의 정보기억용 콘덴서의 한쪽은 트랜지스터에 연결되어 있고 또 한쪽은 칩 내에
있는 노드(플레이트 등)에 연결되어 있다는 것을 알 수있다.이것으로는 SRAM과 달리 데이터를 래치하여 보존해 둘 수 없다.
∙DRAM의 콘덴서는 구멍난 그릇과 같은 것으로, 콘덴서에 기록된 데이터는 어떤 시상수에 따라
점점 감소되며 일정시 간 후에는 없어져 버린다. 이것을 리크라 부른다. 데이터의 소멸을 피하기위해서는 정기적으로 차지를 실행 하는 refresh 동작을 행하여 용기 속의 전하량을 가득 채워둘 필요가 있다.....
SRAM
∙정보는 셀(cell)이라는 곳에 전기신호로 기억되는데, 이때 1셀은 1비트와
같다. 여기서 셀이란 작은방 세포의 의미와 같다. 셀의 구조는 바둑판처럼
행렬로 되어있고 가로선은 워드선, 세로선은 비트선이라고 하며 이 두 개의
선이 만나는 지점에 하나의 셀이 있다.
∙메모리 집적도 = 워드선 수 X 비트선 수가 성립되며, 우리가 일반적으로
알고 있는 4M, 16M, 64M RAM이라고는 부르는 이것이 바로 메모리
집적도 이다. 예를 들면 64M RAM은 64백만개의 비트 혹은 셀이 있는
RAM이란 뜻이다. 워드선과 비트선을 이용해서 데이터를 읽거나 쓰고
있다.
참고 자료
없음