반도체 다이오드 특성 실험

소개글

요 약 P-N 접합형 반도체(다이오드)의 특성을 측정하고 정류작용의 원리를 이해한다. 본 실험을 통하여 반도체에 대한 기본지식을 얻는 것이 본 실험의 목적이라 할 수 있고 현대의 최첨단 전자, 정보 기기들에 대한 이해를 얻는 데 가장 디초적인 실험 및 실습에 속한다.

목차

1. 서 론
2. 이 론
3. 실 험
4. 결 과
5. 오차 요인
6. 결론
7. 참고문헌

본문내용

1. 서 론

러셀 올(1898~1987)은 16세의 나이로 펜실베니아 주립대학교에 입학한 수재였다. 군 신호국에서 근무한 후 교사로 잠시 일한 올은 마침내 미국 산업체의 연구원으로 근무하게 되었다. 초기 라디오는 저주파 전송 신호만을 수신할 수 있었다. 뉴저지 주 홈델에 위치한 벨 연구소에서 올은 고주파수를 위한 라디오 수신기를 개발하던 중 그 당시 수신기에 사용된 진공관보다 성능이 뛰어나다고 알려진 반도체 물질을 실험하였으며 반도체를 위하여 게르마늄, 실리콘 등 다양한 물질을 연구하였다. 1933년 실리콘 샘플로 연구하던 중 샘플 중간 부분에 균열이 있음을 알아차린 올은 실리콘 샘플의 전기 저항을 테스트하는 과정에서 실리콘 샘플이 빛에 노출되는 순간 균열의 양쪽 면 사이에 흐르는 전류량이 현저하게 늘어난다는 것을 알게 되었다. 실리콘의 불순물 때문에 균열한 한쪽의 원자가 여분의 전자를 갖게 되고 다른 쪽 영역의 결정화된 실리콘은 부족한 전자를 보유하게 된 것이다. 올은 불순물이 실리콘의 서로 다른 영역의 전기 흐름에 저항성을 띠도록 만든다고 추론해 이러한 불순물들은 순도가 다른 영역 간의 경계면이라고 간주하였으며 두 개의 영역을 각각 ‘p형’(positive, 양극)과 ‘n형’(negative, 음극)이라고 정의하였다. 또한 균열 사이의 경계면을 피엔 접합(p-n junction)이라고 불렀다. 이후 진행된 연구에서 올은 정제된 게르마늄 결정을 사용하여 예측과 측정이 가능한 방법으로 작동하는 반도체 다이오드를 만들 수 있다는 것을 보여주었다.
p형과 n형의 반도체 혹은 반도체와 금속을 접합시켜 각각에 전극을 부착한 것. 전자를 p-n 접합 다이오드, 후자를 쇼트키 다이오드라 한다. 전류-전압 특성이 옴의 법칙에 따르지 않고 전극에 인가하는 전압의 방향에 따라 비대칭적인 거동을 한다. 이 특성을 이용하여 전자장치가 제조된다.

참고 자료

네이버 지식백과
일반물리학 실험책