[전자회로]다이오드 결과

소개글

"[전자회로]다이오드 결과"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험의 목적

2. 실험의 사용된 기기, 부품

3. 관련이론
(1) 반도체(semiconductors)
(2) 반도체 재료와 불순물(semiconductor material and impurity)
(3) 반도체 내의 캐리어(carrier)
(4) 접합 다이오드의 동작
(5) 순방향 전압-전류(V-I) 특성

4. 실험과정

5. 실험결과

6. 결론 및 고찰

본문내용

실험의 목적
1.반도체 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스의 효과를 측정하고
2.반도체 다이오드의 I-V 특성을 실험적으로 결정하고
3.저항계로 다이오드를 검사하는 방법을 익힌다

실험의 사용된 기기, 부품
1. 저항 : 저항기 250Ω1/4W
2. 직류가변전원: 0~30V
3. 멀티미터
4. 다이오드 : Si(1N4154), Ge(1N4454)

관련이론
(1) 반도체(semiconductors)
반도체는 도체와 절연체의 중간의 전기적 성질을 갖는 고체로서 트랜지스터, 접합다이오드, 제너 다이오드, 터널 다이오드, 집적회로 등은 반도체 소자들이다. 이 반도체 소자는 컴퓨터, 라디오 및 TV 수상기, 그 외 다른 전자장비들에 사용되어 여러 가지의 제어기능을 수행한다. 이들은 정류기(rectifiers), 검지기(detectors), 발진기(oscillators) 및 스위칭 소자(switching elements) 등에 이용한다.
(2) 반도체 재료와 불순물(semiconductor material and impurity)
게르마늄(Ge)과 실리콘(Si)은 반도체 소자의 제조에 가장 많이 사용되고 있다. Ge은 초기의 트랜지스터와 접합 다이오드 제조에 쓰여졌으며, 요즈음은 Si재료가 사용되고 있다. Ge과 Si은 반도체 제조공정 이전에 고순도로 정제되어야 한다. 고순도 상태에서 이들 반도체들은 매우 낮은 전도도 즉, 저항률이 높게 된다. Ge과 Si의 전도성은 매우 작은 양의 어떤 불순물을 부가함으로써 증가하게 된다. 이 불순물의 종류와 제어된 양을 부가하는 과정을 도핑(doping)이라 한다.
(3) 반도체 내의 캐리어(carrier)
음의 전기를 띤 저자는 캐리어(carrier)로서 고찰해야 하며 이 부전하의 개념은 다이오드와 트랜지스터 등 반도체 소자 내의 전류의 흐름을 설명하기 위한 정전하의 개념과 같이 생각하여야 한다.

참고 자료

없음