6. MOSFET Common Source Amplifiers

*동*

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최초 등록일: 2012.06.22
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전자회로 실험 예비레포트입니다.

본문내용

실험부품 및 사용기기

0-15V 직류 전원 공급장치 - 1개
신호발생기 - 1개
저항 - 5개 (10k(3), 100, 1M)
브레드 보드 - 1개
DMM - 1개
커패시터 0.1F(3) - 3개
MOS(CD4007) - 1개
2현상 오실로스코프 - 1개

이론요약

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)이란 Gate 부분이 Metal-Oxide-Semiconductor로 배열되어 절연체인 Oxide를 사이에 두고 metal과 Semiconductor간에 형성된 전계가 전류를 제어하는 것으로 증가형과 공핍형이 있다. 이를 이용해 MOSFET 소스 공통 증폭기 회로를 구성해 보면 다음과 같이 구성할 수가 있다.

MOSFET 소스 공통 증폭기 회로
transconductance gm은 Vds가 일정 할 때 Id를 Vgs로 미분한 값이다. V2가 18V이므로
Vds > Vgs - Vth 이므로 트랜지스터는 새츄레이션(드레인 전류 포화) 상태이다. 트랜지스터가 새츄레이션 상태에 있을 때
Id = (1/2)*UnCox*(W/L)*(Vgs-Vth)^2 (gm은 이를 Vgs에 대해 미분)
gm = UnCox*(W/L)*(Vgs-Vth)
Vgs는 게이트와 소스의 전압차, Vds는 드레인과 소스의 전압차이고 W/L은 트랜지스터의 width/length의 ratio, Un은 소자와 관련된 mobility상수, Cox는 게이트의 oxide charge이다.

참고 자료

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