3주차 결과보고서 (키르히호프)

소개글

박대철, 「기초전자전기회로 실험」, 사이텍미디어, 2006, 참고.

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본문내용

- 토의
회로에 대한 이론적인 해는 위의 이론값 표와 같이 나왔다. 이론값과 측정값은 대략 0.03~0.3정도 차이가 났다. 이 오차는 저항기의 오차와 전압이 걸릴 때 전압계에도 저항이 존재하기 때문에 발생한 오차인 것 같다.
키르히호프의 전류법칙이 성립하려면 회로가 선형 회로이어야 하고, 전압법칙이 성립하기 위해선 폐회로이어야 한다. 우리가 실험에 사용한 회로인 휘스톤 브릿지 회로는 이러한 조건을 만족한다.
휘스톤 브릿지 회로는 온도가 변화 했을 때 알려주는 장치에도 이용된다. 그 예로 고온용 스트레인 게이지가 있다. 이 장치는 온도에 따른 저항 변화는 4개의 스트레인 게이지를 가지고 휘스톤 브리지 회로를 구성함으로써 상쇄시킬 수 있다는 원리를 이용한 것이다.

참고 자료

http://www.gnedu.net/php-bin/swebdata/%B0%ED%B5%EE%C7%D0%B1%B3/1%C7%D0%B3%E2/%B0%FA%C7%D0/1%C7%D0%B1%E2/hs20011226154741/htm/ch223_01.htm
http://kin.naver.com/qna/detail.nhn?d1id=11&dirId=1118&docId=68820039&qb=7ZyY7Iqk7Yak67iM66a/7KeAIOydkeyaqe2VnCDsnqXsuZg=&enc=utf8§ion=kin&rank=2&search_sort=0&spq=0&pid=ghAradoi5UdssvWkxClsss--278957&sid=TYiiIjhliE0AAEfj61w
박대철, 「기초전자전기회로 실험」, 사이텍미디어, 2006, p.30~p.37 참고.