기초전자공학실험 테브난 노턴의 정리, 설계과제(서강대 6주차 보고서)

소개글

서강대학교 기초 전자 공학 실험 6주차 리포트입니다.
테브난 노턴의 정리, 설계과제를 포함하고 있습니다. 보고서를 작성할 때, 족보를 보고 베낀 것이 아니고, 직접 작성한 것입니다. 피스파이스 시뮬레이션 결과가 모두 포함되어있습니다

목차

테브난 노턴의 정리

설계과제

본문내용

기초전자공학실험



1. 제목 : 실험 12. 테브난 노턴의 정리
2. 실험 결과
(1) 표 12-1 저항의 측정
저 항 색깔판독법 [Ω] 측정값 [Ω] 오차율 (%)
R1 3300 3298.72 0.039
R2 15000 14998 0.013
R3 10000 9997 0.03
R4 5600 5597.91 0.037
RL 2700 2698.34 0.061
RL 3900 3898.12 0.048


(2) 그림 12-4 불평형 회로에 대한 테브난 정리 실험

1. 본래 회로의 시뮬레이션(각각 2700Ω, 3900Ω인 경우) : 시뮬레이션 결과, IL은 각각 0.31905mA, 0.28708mA임을 알 수 있다. 본래 회로의 측정값은 0.31mA, 0.284mA이다. 따라서 오차율은 각각 2.84%, 1.07%임을 알 수 있다. VL은 시뮬레이션 결과 각각 0.86141V, 1.120V이다. 그리고
측정값은 각각 0.858V, 1.097V이다. 따라서 오차율은 각각 0.40%, 2.05%이다

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참고 자료

서강대학교 기초 전자공학 실험 6주차 실험교재
Basic Engineering Circuit Analysis, ninth edition, J.DAVID IRWIN&R.MARK NELMS <p173~187>