주기억장치의 종류와 사용처
- 최초 등록일
- 2010.12.14
- 최종 저작일
- 2009.06
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목차
주기억장치의 종류와 사용처
1. ROM(read only memory)
(1) Mask ROM
(2) PROM (Programmable Read-Only Memory)
(3) EPROM (Erasable PROM)
① UVEPROM (Ultra Violet Erasable PROM)
② EEPROM (Electrically Erasable PROM,Flash ROM)
* flash memory (플래시 메모리)
2. 램(RAM : Random Access Memory)
(1) DRAM(Dynamic RAM)
① VRAM(Video RAM)
a. SGRAM (Synchronous Graphics RAM)
b. WRAM (Window RAM)
c. MDRAM (Multibank Dynamic RAM)
d. RDRAM (Rambus Dynamic RAM)
② FPM( Fast Page Mode DRAM)
③ EDO(Extended Data Out) RAM
④ BEDO (Burst EDO) RAM
⑤ SDRAM(Synchronous Dynamic RAM)
⑥ DDR(Double Data Rate) SDRAM
⑦ 1T DRAM (ZRAM)
(2) SRAM (Static Random Access Memory)
① Async SRAM(Asynchronous SRAM, 비동기식 SRAM)
② Synch SRAM(Synchronous Burst SRAM, 동기식 SRAM)
③ PB SRAM(Pipelined Burst SRAM)
본문내용
주기억장치 [主記憶裝置, main memory unit]
컴퓨터의 주요 구조는 크게 중앙처리장치(CPU), 주기억장치, 보조기억장치 및 입출력장치로 구분할 수 있다. 주기억장치는 프로그램을 기억하는 프로그램 영역과 입력 자료를 기억하는 영역, 출력자료를 기억하는 영역, 작업을 실행하여 중간계산결과를 기억하는 작업영역으로 구성된다.
주기억장치의 기억매체로 과거에는 자기코어(magnetic core)를 사용하여, 코어를 통과하는 전선에 전류를 보내 자화된 방향에 따라 0과 1을 기억하게 하였다. 그러나 현재는 대부분 반도체 기억장치 반도체 기억장치 - 집적회로기술(intergrated circuit technology)을 사용하여 아날로그 정보를 저장하는 장치로, 주로 디지털 시스템에서의 데이터를 저장하는 사용된다. 1970년대 초 대형 컴퓨터의 주기억장치로 사용되었으며, 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리로 분류된다.
를 사용하는데 반도체 기억장치에는 ROM(read only memory)과 RAM(random access memory)이 있다. 롬은 읽기만 하는 기억장치로서 전원이 끊어져도 기억된 내용이 지워지지 않으며, 램은 기억된 내용을 사용자가 임의로 변경할 수 있으며 프로그램이나 자료를 저장할 수 있으나 전원이 꺼지면 기억된 내용이 모두 지워진다. 따라서 휘발성메모리라고도 한다.
참고 자료
없음