실험5,6,7. 클리핑 회로,클램핑 회로,발광다이오드 및 제너다이오드

소개글

전자회로실험 과목을 직접 수강하여 A+를 받았던 레포트 입니다.
내용은 실험5,6,7. 클리핑 회로,클램핑 회로,발광다이오드 및 제너다이오드
예비보고서 이며 pspice를 이용한 그래프결과 와 도표를 이용하여 내용이
정리되어 있습니다.^^

목차

실험 5. 클리핑 회로, 6 클램핑 회로
(1) 목적
(2) 실험장비
(3) 이론

실험7. 회로,발광다이오드 및 제너다이오드
(1) 목적
(2) 이론
(4) PSPICE를 이용한 시뮬레이션

본문내용

실험5. 클리핑 회로
- 실험 결과 -
1) 문턱전압
DMM 혹은 곡선 추적기의 다이오드 검사기능을 이용하여 Si 다이오드와 Ge 다이오드에 대한 문턱전압을 결정하라. 만약 다이오드 측정 능력 혹은 곡선 추적기를 이용 할 수 없다면 , Si 다이오드에 대해 VT = 0.7 V, Ge 다이오드에 대해 0.3 V로 가정하라.

※Si 만 사용하였다. VT(Si) = 0.7 V
2) 병렬 클리퍼
a. 그림 5-1의 클리핑 회로를 구성하라. 측정된 저항치와 D 셀의 전압을 기록하라. 입력이 1kHz 주파수에서 8Vp-p 구형파임을 주의하라.

b. R, E, VT 의 측정치를 이용하여 인가된 구형파가 +4V일 때 전압 Vo를 계산하라. Vo를 결정하기 위한 계산의 모든 세부사항을 기술하라.
Open이므로 Vi =Vo (계산치)Vo = 4V
C. 인가된 구형파가 -4V일 때, 순서 b를 반복하라.

그림 5-1의 배터리의 방향을 바꾸고, R, E, VT 의 측정값을 이용하여 Vi = +V일 때 Vo의 레벨을 계산하라.

참고 자료

없음