전지의 내부 저항
- 최초 등록일
- 2009.12.21
- 최종 저작일
- 2006.09
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소개글
먼저 첫 번째 실험에서는 건전지의 단자전압을 시간이 지날수록 낮아지게 만드는 원인인, 건전지 내부에 존재하는 내부저항의 크기를 실재적으로 측정해 본다. 그 다음 실험에서는 여러 가지 저항체의 저항 값 크기가 그 저항체의 재료와 기하학적 모양에 어떻게 의존하는지를 살펴본다. 그리고 이 데이터로부터 여러 가지 저항체를 옴성(ohmic) 저항과 비옴성(nonohmic) 저항으로 나누어본다. 마지막 실험에서는 바로 전 실험에서 비옴성(nonohmic) 저항으로 나타난 저항체에 대해서 전류에 대한 전압의 그래프를 그려봄으로서 그 비선형성에 대한 논의를 하기로 한다.
목차
Ⅰ. 서론
1. 실험 배경 및 동기
2. 실험목적
Ⅱ. 이론
1. 건전지의 내부저항(internal resistance)의 발생 원인
2. Thevenin`s Theorem에 의한 내부저항과 기전력의 수식화
3. 금속 비저항(resistivity)의 온도 의존성 : Bloch-Greneissen Formula
4. 반도체(semiconductor) 비저항의 온도 의존성 : Steinhart-Hart equation
Ⅲ. 실험방법
1. 실험 장치의 특성
2. 실험 절차
가. 실험 A 건전지의 내부저항 측정하기
나. 실험 B 저항체의 종류와 기하학적 크기에 따른 저항 값의 크기 변화
다. 실험 C 데이터 스튜디오를 이용한 비옴성(nonohmic) 저항체의 비선형성 분석
Ⅳ. 결과 및 분석
가. 실험 A 건전지의 내부저항 측정하기
나. 실험 B 저항체의 종류와 기하학적 크기에 따른 저항 값의 크기 변화
다. 실험 C 데이터 스튜디오를 이용한 비옴성(nonohmic) 저항체의 비선형성 분석
Ⅴ. 결론
본문내용
옴의 법칙은 실재로는 법칙(law)라고 할 수 없으며, 매우 특수한 경우의 전도체에서만 성립되는 성질이다. 옴의 법칙, 즉 그 전류와 전압이 V=IR이라는 선형적인 관계를 이루는 도체를 옴성 도체(ohmic onductor)라고 부르며, 전류와 전압이 비선형적인 관계를 갖는 도체를 비옴성 도체(nonohmic conductr)라고 한다. 이 비옴성 도체가 나타나는 이유에는 전구의 경우 저항의 온도에 대한 의존성, LED 다이오드의 경우에는 반도체의 특수한 성질 때문에 일어난다.
건전지의 내부저항은 시간이 지남에 따라 불가항력적으로 증가하며, 이는 건전지 내에서 기전력을 발생시키는 화학반응 때문에 일어난다. 그리고 이러한 내부저항은 그 건전지가 전원으로서 기능하는 회로에서 전류-전압을 그렸을 때 의 관계식에서 결정할 수 있다. 단, 이 때 은 건전지 내의 내부저항이며, 는 건전지의 단자전압이다.
참고 자료
없음