Ion beam forming(이온빔포밍)
- 최초 등록일
- 2009.07.28
- 최종 저작일
- 2009.07
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소개글
이온빔 포밍에 대한 과정과 문제점, 장비등을 조사한 자료입니다.
목차
1. ION BEAM Processing
2. Sputtering
3. Problems of ION BEAM Processing
4. Equipment
5. Other related Techniques
6. Application
7. Focused Ion Beam
본문내용
Sputtering
기본적으로 이온의 충돌로 생긴 운동 모멘트의 결과는 타겟의 원자이동을 가져온다.
스프터링은 타겟원소의 질량 입사이온의 질량,이온의 입사각,가공동안의 타겟의온도 등에 따라 S(원소/이온)를 생기게 한다.
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Problems of I.B.P
1.각각의 Grain의 부식률
2. 바뀌거나 손상된 층
3. Faceting (깍여 만들어진 작은면)
4. Trench (협곡 발생)
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Equipment
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Other related techniques
RIE(Reactive Ion Etching) 의 단점
좋지 않은 끝부분 검출 오염
RIBE(Reactive Ion Beam Etching)의 장점
높은 분해력
이방성
RIBE(Reactive Ion Beam Etching)의 단점
Facet, trench 나쁜 선택성, 부식률 표면 복사 Damage
RIE(Reactive Ion Etching) 의 장점
높은 부식률 탁월한 선택성 이방성
높은 부식률 탁월한 선택성
높은 분해력 이방성
이온 빔 포밍 RIE,RIBE의 장점을 합쳐놓은 형태 입니다. 이 밖에 적용 된 기술로는 IBACE,PLASMA FORMING 등이 있습니다.
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Application
게이지 블록
다이아몬드 툴
주사형 터널 현미경
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참고 자료
없음