아르곤 가스의 주입이 붕소 도핑 다이아몬드 전극의 특성에 미치는 효과
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- 최초 등록일
- 2023.04.05
- 최종 저작일
- 2018.05
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서지정보
ㆍ발행기관 : 한국재료학회
ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 28권 / 5호
ㆍ저자명 : 최용선, 이영기, 김정열, 이유기
목차
Abstract
1. 서 론
2. 실험 방법
2.1 실험재료
2.2 실험방법
3. 결과 및 고찰
3.1 BDD 박막의 미세구조 분석 결과
3.2 BDD 박막의 상(phase)분석 결과
3.3 순환전압전류(CV) 테스트 결과
3.4 총유기탄소(TOC) 제거 테스트 결과
4. 결 론
References
영어 초록
A boron-doped diamond(BDD) electrode is attractive for many electrochemical applications due to its distinctive properties: an extremely wide potential window in aqueous and non-aqueous electrolytes, a very low and stable background current and a high resistance to surface fouling. An Ar gas mixture of H2, CH4 and trimethylboron (TMB, 0.1 % C3H9B in H2) is used in a hot filament chemical vapor deposition(HFCVD) reactor. The effect of argon addition on quality, structure and electrochemical property is investigated by scanning electron microscope(SEM), X-ray diffraction(XRD) and cyclic voltammetry(CV). In this study, BDD electrodes are manufactured using different Ar/CH4 ratios (Ar/CH4 = 0, 1, 2 and 4). The results of this study show that the diamond grain size decreases with increasing Ar/CH4 ratios. On the other hand, the samples with an Ar/CH4 ratio above 5 fail to produce a BDD electrode. In addition, the BDD electrodes manufactured by introducing different Ar/CH4 ratios result in the most inclined to (111) preferential growth when the Ar/CH4 ratio is 2. It is also noted that the electrochemical properties of the BDD electrode improve with the process of adding argon.
참고 자료
없음
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