스퍼터로 성장된 알루미늄 박막의 공정 변수와 박막 두께에 따른 물성
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- 최초 등록일
- 2016.10.11
- 최종 저작일
- 2016.08
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서지정보
ㆍ발행기관 : 한국재료학회
ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 26권 / 8호
ㆍ저자명 : 오일권, 윤창모, 장진욱, 김형준
목차
1. 서 론
2. 실험 방법
3. 결 과
4. 결 론
References
영어 초록
We developed an Al sputtering process by varying the plasma power, process temperature, and film thickness. We observed an increase of hillock distribution and average diameter with increasing plasma power, process temperature, and film thickness. Since the roughness of a film increases with the increase of the distribution and average size of hillocks, the control of hillock formation is a key factor in the reduction of Al corrosion. We observed the lowest hillock formation at 30 W and 100 oC. This growth characteristic of sputtered Al thin films will be useful for the reduction of Al corrosion in the future of the electronic packaging field.
참고 자료
없음
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