투과전자현미경에 의한 Zn1-xCoxSe박막 및 (ZnSe/FeSe) 초격자 박막의 미세구조 분석
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- 최초 등록일
- 2016.04.02
- 최종 저작일
- 1997.10
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서지정보
ㆍ발행기관 : 한국재료학회
ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 7권 / 10호
ㆍ저자명 : 박경순
한국어 초록
MBS에 의해(001)GaAs기판 위에 성장된 Zn1-xCoxSe(x=1.0, 7.4, 9.5 %)반도체 박막과 (ZnSe/FeSe)반도체 초격자 박막의 미세구조를 투과전자현미경을 이용하여 연구하였다. Zn1-xCoxSe 박막 시편의 경우, 박막과 기판 사이의 격자 불일치때문에 a/2<110>형태의 버거즈 벡터를 가지는 부정합 전위를 관찰하였다. 모든 Zn1-xCoxSe 박막과 기판의 계면은 뚜렷이 구별되었고, 계면에서 산화물이나 이물질이 존재하지 않았다. 또한, (ZnSe/FeSe)초격자를 성장시키기 전에 GaAs기판 위에 ZnSe바닥층을 넣음으로써 고품질의 (ZnSe/FeSe)초격자를 얻었다. (ZnSe/FeSe)초격자에 있는 FeSe는 섬아연광 결정구조로 존재하였다.
참고 자료
없음
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