ECR plasma CVD법에 의한 저유전율 SiOF 박막의 특성
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- 최초 등록일
- 2016.04.02
- 최종 저작일
- 1997.10
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서지정보
ㆍ발행기관 : 한국재료학회
ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 7권 / 10호
ㆍ저자명 : 이석형, 오경희
한국어 초록
본 실험에서는 저유전율 층간절연물질로서 SiOF박막을 ECR plasma CVD를 이용하여 증착하였다. 또한 증착시에 발생시킨 플라즈마의 특성 분석을 위하여 Langmuir probe를 반응챔버에 부착하여 플라즈마 밀도, 마이크로파 전력은 700W, 기판온도는 300˚C에서 행하였다. 증착된 SiOF 박막을 분석한 결과, 가스유량비(SiF4/O2)가 0.2에서 1.6으로 증가하였을 때 불소의 함량은 약 5.3at%에서 14.5at%로 증가하였으며, 굴절률은 1.501에서 1.391로 감소하였고 이는 불소 첨가에 의한 박막의 밀도감소에 의한 것으로 생각된다. 또한 박막의 유전상수는 가스유량비가 1.0(11.8qt.% F함유)일 때 3.14였다.
참고 자료
없음
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