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소개글

Wafer Cleaning & Oxidation
Photolithography
Dry Etching
Metal Deposition

목차

1. Wafer Cleaning & Oxidation
2. Photolithography
3. Dry Etching
4. Metal Deposition

본문내용

Wafer 표면의 불순물은 device 성능에 영향을 주고, Si circuit의 생산 수율에 영향을 준다. native oxide의 경우 wafer 표면에 균일하게 생성된 것이 아니기 때문에 Si 표면을 보호하기 힘들다. 그러므로 Wafer 표면의 불순물과 native oxide를 제거하기 위해 Cleaning을 실시한다.

Si wafer 표면이 산소에 노출되면 실리콘 산화막이 형성된다. 순수한 실리콘 산화막은 좋은 전기적 절연체이며 공정 시 발생하는 오염물질이나 화학물질로부터 생성되는 불순물로부터 Si 표면을 보호한다. 그러므로 cleaning이 끝나 불순물이 제거된 wafer 표면에 산화막을 생성시키는 공정을 실시한다.

참고 자료

『엘립소미트리』, 안일신, 한양대학교 출판부, 2000
『Solid State Electronic, Devices』, B.G. Streetman, Prentice Hall, 2006 Semiconductor Nanosystem Laboratory School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University
http://en.rigaku-mechatronics.com/case/vacuum-chuck-mechanism.html
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http://samsungsemiconstory.com/172
반도체 공정실험 수업자료