BJT의 전류 전압 특성

소개글

피스파이스를 사용

목차

◈ 실험 목적
◈ 이론 요약

본문내용

◈ 실험 목적
☞ Collecter 전류와 Base 전류사이의 관계를 조사
☞ 트랜지스터 특성곡선들에 대하여 조사

◈ 이론 요약
☞ Bipolar Transistor는 Emitter, Base 그리고 Collector로 구성되어 있으며, npn과 pnp로 제작할 수 있다. 외부의 Bias가 인가되기 전에는 2개의 다이오드가 결합되어있는 듯한 모양을 가지고있다. 하지만 Bias가 인가되었을 때는 생각하지 못했던 현상들이 발생하게 된다. 각각의 Diode는 대략 0.7V의 Barrier potential를 가지고 있으며, 이들에게 외부의 Voltage Source가 인가되었을 때 Emitter, Base, Collector 등 각각의 전자 관점에서 함께 살펴보자.

1) Emitter Electrons
Emitter는 전자가 정공에 비해 매우 많은 Position를 차지하고 있다. 따라서 상대적으로 매우 얋은 층을 가지고 있는 Base를 건너 Collector로 전자가 움직이게 되는 효과를 얻어낼 수 있다.
Collector의 Doping 수준은 일반적으로 Emitter에 비해 약하게 하며, Emitter에서 건너온 전자들의 집합 장소이기도 하다.

2) Base Electrons
만약에 Base 쪽으로 인가되는 전압이 Base-Emitter 다이오드의 Barrier Potential보다 더 크다면 Emitter의 전자들은 Base 쪽으로 움직이기 시작한다. Base에 도착한 전자들은 두개의 방향으로 각각 나뉘어진다. 대부분의 전자는 Collector 쪽으로 움직이고 소량의 전자는 Base와 연결된 외부의 전원단으로 움직이게 된다. 대부분의 전자가 Collector 쪽으로 움직이는 이유는 Base의 Doping level에 의한 전자의 lifetime 증가에 있다. Collector 쪽으로 전자가 움직이기에 충분한 시간을 제공하기 때문이다.

참고 자료

없음