DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 Cu 증착률의 스퍼터링 압력 및 Power 의존성 조사
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소개글
DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 Cu 증착률의 스퍼터링 압력 및 Power 의존성 조사목차
Ⅰ. 서론Ⅱ. 이론
1. 플라즈마
(1) 플라즈마란
(2) 플라즈마의 특성
(3) 플라즈마 내에서의 충돌
2. Glow discharge
(1) DC Glow discharge
(2) RF glow discharge
3. 스퍼터링
(1) 이온과 고체 표면과의 반응
(2) 스퍼터링 구
(3) 스퍼터율(sputter yield
(4) DC 스퍼터링
(5) RF 스퍼터링
(6) Magnetron 스퍼터링
4. 스퍼터링의 응용
Ⅲ. 실험기구
Ⅳ. 실험방법
Ⅴ. 측정값
Ⅵ. 결론
<참고문헌
본문내용
Ⅰ. 서론반도체 디바이스의 물성을 결정짓는 중요한 요소 중의 하나가 반도체 증착 기술이며, 따라서 양질의 막을 생성하기 위한 막 생성 및 제어 기술이 많이 요구된다. 그 밖에도 고진공장치 등 고가 장치의 사용으로 인해 발생되는 비용절감과 공정의 단순화, 유독성물질의 사용에 따른 환경오염 차단 기술 등이 현안이 되고 있다.
반도체 증착 기술은 크게 생성전달 기술과 기판제어 기술, 그리고 이 두 가지 기술을 융합하여 반도체를 기판과 동일한 결정구조로 성장시켜 소자의 특성을 향상 시키는 에피택시 증착 기술로 나누어진다.
이 중에서 생성전달 기술은 크게 물리적 증착(Physical Vapor Deposition : PVD) 기술 과 화학적 증착(Chemical Vapor Deposition : CVD) 기술, 그리고 플레이팅(Plating)증착기술로 나누어진다. PVD 기술은 목적하는 박막의 구성 원자를 포함 하는 고체의 타켓을 물리적인 작용(증발, 승화, 스퍼터링)에 의해 원자∙분자․클러스터 상태로 해서 기판 표면에 수송하여 박막을 형성하는 방법이다. CVD 기술은 박막의 구성 원자를 포함하는 원료가스를 기판이 놓여진 공간에 공급하여 원료 가스 분자의 들뜸∙ 분해를 통하여 기상 및 기판 표면에서의 화학 반응으로 박막을 형성하는 방법이다. 또한 플레이팅 기술은 열 속도보다도 큰 운동 에너지로 가속된 원자나 이온을 증착 입자에 포함시켜 박막 형성을 하는 기술이다.
증착 기술은 반도체 제조공정 기술 중에서 가장 중요한 기술 분야중의 하나이며, 증착 기술의 측면은 증착 장비의 시장과 밀접한 관계를 맺고 있다. 증착 장비의 세계적 시장 현황을 파악함으로써 증착 기술의 행보를 파악할 수 있고, 상기와 같이 증착 기술의 발전을 도모한다면, 국내 산업 발전에도 이바지 할 수 있을 것으로 생각 된다.
이 중 PVD 기술로 대표되는 스퍼터링 증착 기술은 고융점 금속이나 조성이 복잡한 합금의 박막 형성이 쉽다는 특징이 있어서 ULSI의 여러
참고 자료
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