[공학]mosfet

목차

1. 목적
2. 준비물
3. 이론

본문내용

1. 목적

☛ 금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터 ( Metal Oxide Semiconguctor Field Effect Transistor : MOSFET) 의 드레인 전류에 대한 드레인 - 소스 전앞의 효과와 게이트 - 소스 효과, 드레인 전류와 게이트 - 소스 전압 사이의 관계를 알아본다. 시뮬레이션과 실험을 통하여 MOSFET와 JFET의 차이를 이해하는데 그 목적이 있다.

2. 준비물

☛ 오실로스코프
☛ 직류전원장치
☛ 멀티미터
☛ 전류계
☛ MOSFET : SK45 (MOSFET)


3. 이론

☛ 접합 전계 효과 트랜지스터에서 전계는 p-n 다이오드를 통해서 채널에 가해진다. 반도체 채널로부터 산화층에 의해 분리된 금속게이트 전극을 사용함으로써 기본적으로 다른 종류의 전계 효과 소자를 얻는다. 이 금속 산화물 반도체 구조로 하면 게이트와 기판 사이에 외부에서 전압을 인가할 때 전계가 채널에 영향을 미치게 된다. 이와 같은 소자를 MOSFET 또는 MOS 트랜지스터 라고 부른다. MOSFET에는 공핍형과 증가형의 두 형태가 있다. 공핍형 MOSFET의동작은 JFET의 동작과 유사하다. 게이트 전압이 0이고 드레인 전압이 고정된 상태에서 전류는 최대가 되며 인가한 게이트 전위에 따라 전류는 감소한다. 다른 하나는 증가형 MOSFET이며 이 소자는 게이트 전압이 0인 경우 전류가 흐르지 않으며, 게이트 전위의 증가에 따라 출력 전류는 증가한다. 이 두 가지 형태의 소자는 p 채널 MOSFET과 n채널 MOSFET의 두 형태를 갖는다.


☛ 증가형 MOSFET


JFET와 함께 MOSFET도 드레인전류 ID가 게이트 전압에 의해 제어되는 전계효과 트랜지스터이다. 그러나 MOSFET와JFET는 구조나 동작에서 차이가 난다. MOSFET는 구성하는 방법에 따라 결핍형(Depletion type)과 증가형(Enhancement type)으로 나누어지며, JFET보다 입력 임피던스가 훨씬 크다.

참고 자료

없음