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[기계공학]금속재료실험

*재*
최초 등록일
2006.11.06
최종 저작일
2006.11
9페이지/한글파일 한컴오피스
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소개글

심혈을 기울여 썻습니다... ^^ 좋은 점수 받은 레포트구요... ^^
받으셔서 좋은 결과 받으세요... 공부 열심히 하시구요...

목차

▲ 열처리
▲ 사진 분석
▲ 상태도
▲ 에칭 (Etching)
▲고 찰

본문내용

금속표면의 침식작용에 의거 금속을 그 표면으로부터 분리 제거하는 처리기술을Etching이라고 한다. 즉, 금속재료를 전기 물리적 또는 화학용해 작용을 이용하여 금속 일부분을 침식제거 하는 것을 말한다. 전기 물리적 방법으로는 전해가공, 전해연마를 들 수 있으며, 화학 용해 방법으로는 화학 타공, 화학절삭의 방법이 있다.
원래 Etching 기술은 17세기 손조각법에 의한 동판화 기술로써 고안 개발되어진 것으로 내산성물질을 동판면에 도포하고 침봉으로 내산성 물질을 긁어내면서 패턴을 형성 노출부에 산처리(Etching)를 하였던 것이다. 이와 같은 Etching 기술은 19세기 사진기술의 발달과 함께 요판, 동판, 그라비아판 등의 인쇄분야에 광범위하게 이용되게 되어있으며 전기, 전자기기, PCB판, 집적회로 및 각종 기계 부품에까지 이용되게 되었다.
[Etching의 효과]
-상품성의 향상으로 상품 만족도를 높인다.
-의장성 향상으로 상품 가치를 높게 한다.
-미끄럼 방지 등 기능성을 향상시킨다.
-Weld line, 수축 등의 방지 그리고 표면조도의 조절을 통하여 2차 가공성을 향상시킨다.


습식식각(Wet Etching)
건식식각(Dry Etching)
사진공정을 거친 웨이퍼를 식각용액에 담근다. HF는 PR과는 반응하지 않으며 실리콘 산화막만을 식각한다. 그러나 식각 진행 중 side wall 역시 식각하므로 undercut이 발생한다.
Plasma화 된 Ar가스가 웨이퍼에 수직한 방향으로 align이 되어 표면에 충돌한다. Wet etch와는 달리 물리적인 Sputtering이 주로 일어나므로 선택성이 낮으며 표면의 손상이 있을 수 있다.
장 점
-선택성과 생산성이 높다
장 점
-이방성식각(Anisotropic Etch)
- 미세 패턴형성 가능

참고 자료

없음
*재*
판매자 유형Bronze개인

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