[공학]Ag(Cu)/Si의 열처리 및 silicide 형성에 따른 영향

소개글

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목차

1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 실험 결과
4. 고찰

본문내용

.1. 실험목적

Si기판에 Ag(Cu)를 증착을 하여 만든 Ag(Cu)/Si 반도체를 제작하여 보고 이를 각각의 온도에 따라 열처리하여 Ag(Cu)/Si의 열처리 온도에 따른 비저항의 변화를 관찰하고 silicide의 형성에 따른 Ag(Cu)/Si 반도체의 특성을 관찰하여 본다.

2. 실험방법

기판 : Si Target : Ag 첨가원소 : Cu

1) 증착할 기판(Si)이 산소와 반응을 잘하기 때문에 이를 방지하기 위한 불산처리를 하여 native oxide를 제거한다.
2) 기판을 Sputtering장치에 Loading한다.
3) Rotary Pump를 이용하여 6 m Torr 까지 저진공을 뽑는다.
4) Diffusion Pump를 이용하여 2.7×10-6 Torr까지 고진공을 뽑는다.
5) 그 후 불활성 기체인 Ar gas를 흘려주어서 플라즈마를 생성시킨다.
6) 증착조건 : Power → 150 W ( ≒ 400 V × 0.37 A )
Working Pressure → 2 mTorr
Time → 18 sec (약 2000 Å - 두께는 시간에 비례)
7) 증착된 시편의 Sheet Resistance를 측정한다.
8) 시편을 Vacuum Furnace로 열처리한다. (100℃, 200℃, 300℃, 400℃, 500℃,
600℃, 700℃, 800℃) 진공을 뽑는 과정은 Sputter의 시스템과 동일하고 열처 리조건은 Base Pressure : 2 × 10-5 Torr, 30 min
9) 열처리된 시편의 Sheet Resistance를 다시 측정한다.
10) 준비된 시편의 분석을 실시한다.
11) 분석을 통하여 열처리 온도에 따른 박막특성을 비교한다.

(분석 : 비저항, AES(Auger Electron Spectroscopy), 접착력 Test(scratch test), TEM(Transmission Electron Microscopy)

참고 자료

없음