반도체공정

목차

A.1. 서 론
2. 반도체 소자의 제조법
3. Lapping
4. Polishing
5. 에 칭

B. 실험
1. OXIDATION LAYERING
2. PHOTORESIST COATING
3. PATTERN PREPARATION
4. STEPPER EXPOSURE
5. DEVELOP & BAKE
6. ACID ETCH
7. SPIN RINSE DRY
8. ION IMPLANT
9. CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
10. COPPER DEPOSITION
11. METAL DEPOSITION
12. METAL ETCH
13. ASHING
14. PROBE TEST & DIE CUT

C. 결 론

본문내용

3. Lapping

Lapping이란 중간정도의 입도(∼1,000∼1,200번)로 연마하는 것으로서 이것 이상으로 되면 polishong이라 부른다.
Lapping공정에서는 일반적으로 lapping기계를 사용하며 편면래핑기계 또는 양면을 한꺼번에 래핑하는 기계가 있다.
연마재로서는 카보란담이나 알루미나가 사용되고 이것을 lapping oil인 등유 또는 경유와 혼합하여 교반하면서 lap선반 위에 적하한다.
래핑을 행할 때 가장 주의해야 할 것은 시료파편이 혼입되어 긁힘 등의 상처가 나지 않도록 하는 일이다.
래핑에서 컷팅이나 성장 후의 결정을 미리 chemical etching을 행하거나 가볍게 헝겊을 갖고 손으로 광택을 내어 표면이나 주변의 미세한 돌기나 부스러기를 떨어뜨리는 것 등에 세심한 주의가 필요하다. 또, 연마재 입경이 서로 다른 것이 혼입되지 않도록 하는 것도 필요하다.

4. Polishing

트랜지스터 종류에 따라 또는 직접회로의 고급화, 고정밀화, 첨단화에 따라 표면현상을 이용하는 경우가 많아지기 때문에 순수하고 광택있는 가공 즉 폴리싱이 필요하게 된다. 이때 연마재로서는 알루미나를 물에 녹인 것을 사용, 연마포를 씌운 회전판 위에 적하하면서 연마하며, 방법에는 기계적 연마법과 화학적 연마법 그리고 이들의 결점을 개선한 화학적·기계적 연마법이 있다.
래핑이나 폴리싱을 거친면에는 반드시 가공층이 존재한다. 표 1에는 화합물반도체결정의 damage깊이와 연마재입경과의 관계를 참고로 나타내었다. 또 래핑 및 폴리싱에 의한 가공층의 단면구조를 그림 4에서 볼 수 있다. 이 그림은 실리콘을 10㎛ , 게르마늄을 12㎛ 입경의 연마재로 래핑한 경우의 예이다.

참고 자료

없음