MOSFET 특성 예비보고서

목차

I. 실험 목적
II. 실험 이론과 원리
III. 실험 방법
IV. Pspice 시뮬레이션과 설명

본문내용

I. 실험 목적
◎ MOSFET의 세 단지인 Source, Gate, Drain 의 특성을 모의실험을 통하여 알아본다.

II. 실험 이론과 원리
FET(field-effect transistor)는 접합 전계효과 트랜지스터 JFET와 금속-산화물-반도체 전계효과 트랜지스터 MOSFET 등이 있다.
○ MOSFET에 관한 안전수칙
MOSFET의 게이트 산화층은 매우 얇기 때문에 100V 이하의 작은 정전기가 게이트에 가해져도 산화막이 파괴될 수 있다. 이 결과 MOSFET는 사용할 수 없게 되므로 다른 반도체 소자와는 달리 매우 조심스럽게 다루어져야 한다. 정전기는 소자를 보관하는 플라스틱의 마찰이나 접지가 되지 않은 납땜기구 그리고 사람의 몸에 축적된 정전기에 의해 발생할 수 있다.
유의 1. MOSFET를 브레드보드에 먼저 끼우고 나머지 소자를 연결
유의 2. MOSFET 부품을 분리하거나 회로를 연결할 때는 회로의 전원을 반드시 끈다.

참고 자료

없음