매틀랩을 이용한 공정제어프로젝트

목차

Ⅰ. 개요
1) 목적
2) 문제 설명

II. 본론
1) Step test
2) Pairing
3) Tuning
4) Decoupling

III. 결론

본문내용

Ⅰ. 개요
1) 목적
반응성 이온에칭이란 아래와 같이 두 장의 평행한 원판 전극으로 구성되며, 시료를 전극 위에 놓고 전극 간에 생기는 수직전계의 작용으로 플라즈마 중의 이온을 가속하여 이온의 화학반응과 운동에너지 양자를 이용해서 에칭의 이방성(방향성)을 얻는 것을 말한다. 에칭은 반도체 소자의 제조 공정에서 반응성 이온은 웨이퍼(wafer)표면에 회로의 배선 패턴을 형성하여 고체 필름 층을 선택적으로 제거(etch)하기위해 사용된다.

2) 문제 설명
제어시스템의 주요 목적은 process input을 조절함으로써 적절한 etching속도에 도달하는 것이다. 일반적으로 etch 속도는 쉽게 측정되지 않는다. 그래서 다른 변수들을 측정하고 제어함으로써 etch rate을 잘 제어 할 수 있다고 가정한다. 두 가지 중요한 제어변수는 plasma의 바이어스 전압과 플루오린의 농도이다. 두 제어변수는 궁극적으로 etch rate을 결정한다. 두 가지 중요한 조작변수는 RF Power와 출구밸브의 상태이다.
공정의 운행 조건은 다음과 같다.

참고 자료

없음