[직접회로] CMOS 공정 과정

등록일 2002.12.22 MS 파워포인트 (ppt) | 44페이지 | 가격 2,000원

목차

1) WELL OXIDATION
2) WELL PHOTO
3) OXIDE ETCH
4) P/R STRIP
5) BUFFER OXIDATION
6) WELL IMPLANTATION
7) WELL DRIVE IN
8) WELL OXIDE STRIP
9) BARRIER OXIDATION; NITRIDE DEPOSITION
10) ACTIVE PHOTO
11) ACTIVE ETCH : PR STRIP
12) FIELD PHOTO
13) CHANNEL STOP IMPLANTATION
14) P/R STRIP
15) FIELD OXIDATION
16) NITRIDE STRIP : BARRIER OXIDE STRIP
17) FIRST GATE OXIDATION
18) VT IMPLANTATION
19) FIRST GATE OXIDE STRIP
20) SECOND GATE OXIDATION
21) POLY DEPOSITION : PHOSPHORUS DOPING
22) GATE PHOTO
23) POLY ETCH : P/R STRIP
24) N-PLUS PHOTO
25) N-PLUS IMPLANTATION
26) P/R STRIP
27) P-PLUS PHOTO
28) P-PLUS IMPLANTATION
29) PR STRIP
30) PSG-1 증착(Phosporous silicated glass)
31) CONTACT PHOTO
32) CONTACT ETCH : PR STRIP
33) METAL-1 SPUTERING
34) METAL-1 PHOTO
35) METAL-1 ETCH : PR STRIP
36) PYROX SiO2 DEPOSITION
37) VIA PHOTO
38) VIA ETCH : PR STRIP
39) METAL-Ⅱ SPUTERING
40) METAL-Ⅱ PHOTO
41) METAL-Ⅱ ETCH : PR STRIP
42) PASSIVATION

본문내용

CMOS공정의 첫 번째 단계로서 산화막 층을 성장시키게 됩니다.
이 산화막 층은 앞으로 있을 공정에 대비한 기판 stress를 줄이기 위한 것입니다.
여기서는 습식산화 방식에 의해 성장시켰습니다.
CMOS공정 중 두 번째 과정으로 N-Substrate 지역 안에 P-TYPE WELL을 만들기 위한 준비과정으로 산화막층 위에 감광막을 씌우고 그 위에 마스크를 씌우게 됩니다
*원하는 자료를 검색 해 보세요.
  • [반도체] cmos공정순서 45페이지
    6.Well Dinve-In확산하기 위해서 온도를 높여준다1100ºC 에서 N₂Gas만 넣고 600분정도 확산1100ºC 에서 O₂Gas만 넣고 600분정도 확산9.Nitride(Si3N4) Deposition목적 선택적으로 Field Oxide성장시키기 위함Tem..
  • 반도체 공학 프로젝트 30페이지
    Screen Oxide(300Å)를 통해서 인을 주입하는 과정 900 ℃ 50minN-wellE=150keV, Dose : 1.0 x 1016 atom/Cm-2Predeposition : 900℃ 20minDrive ? in : 900℃ 30minN-type Diffu..
  • N type - CMOS Process 18페이지
    N type - CMOS ProcessN 타입의 CMOS 제작공정
  • [반도체 공학, 반도체 제조, 반도체 공정]반도체 공정의 이해(Si Base) 23페이지
    1. 반도체 Device 제작 과정(Si Base)- p-type Si 기판에 산화막을 성장시킨다(Furnace).※화합물은 CVD공정을 거쳐 산화막을 형성한다.- Spin Coater를 통해 PR을 도포한다 ......2. Oxidation- Si Substrate에..
  • 반도체 공정의 이해 29페이지
    1. One chip을 만들기까지…. 그림2. Schematic vs layout vs wafer그림3. Process definition(1) 보통 0.13um공정이라고 할 때, logic공정에서 최소로 구현된 gate poly의 length 가 0.13um임을 뜻..
  • [공학재료] 반도체제조과정 4페이지
    1. Thermal Oxidation 많은 제조과정은 화학적 반응을 증가시키기 위해 wafer의 열처리과정이 포함된다. 중요한 예가 Si의 열적산화과정이다. (SiO2형성) 이것은 높은 온도까지 올리기 위해 깨끗한 실리카튜브위에 wafer 묶음을 올린다. dry o..
  • 반도체공정 16페이지
    3. LappingLapping이란 중간정도의 입도(∼1,000∼1,200번)로 연마하는 것으로서 이것 이상으로 되면 polishong이라 부른다.Lapping공정에서는 일반적으로 lapping기계를 사용하며 편면래핑기계 또는 양면을 한꺼번에 래핑하는 기계가 있다.연마..
더보기
      최근 구매한 회원 학교정보 보기
      1. 최근 2주간 다운받은 회원수와 학교정보이며
         구매한 본인의 구매정보도 함께 표시됩니다.
      2. 매시 정각마다 업데이트 됩니다. (02:00 ~ 21:00)
      3. 구매자의 학교정보가 없는 경우 기타로 표시됩니다.
      최근 본 자료더보기
      추천도서