서강대학교 기초전자공학실험 6주차 결과보고서

소개글

기초전자공학실험의 결과보고서입니다.
실험 12. 테브난 노턴의 정리
공부에 도움되길 바랍니다.

목차

1. 제목
2. 실험결과
3. 결과분석및토의
4. 참고문헌

본문내용

표12-2에서 본래회로에 흐르는 전류IL은 RL이 2700일 때 0.29, RL이 3900일 때 0.26이 측정되었다. 테브난등가회로를 구성하였을 때 측정된 값은 각각 0.30, 0.28mA이다. 계산값은 각각 0.32와 0.29 로써, 오차는 본래회로일 때 10%와 9.3%이다. 테브난등가회로의 오차는 6.2%와 3.4%으로 본래회로보다 오차가 줄어든 것을 알 수 있다. 오차가 줄어든 원인은 테브난 등가회로로 구현하였을 시, 이론적인 저항값은 같으나 본래회로보다 작은 수의 저항소자를 사용함으로써 저항의 자체오차에 의한 오차율을 줄일 수 있었다. Vth의 경우, 측정값은 3.42V이며, 오차는 2.1%이다. Rth는 측정값은 8.05k이며, 계산값과의 오차는 0.4%이다. 표 12-3에서 본래회로의 IL은 RL이 2700일 때 2.5, 3900일 때 2.1이 측정되었다. 노턴등가회로로 구성하였을 때 측정된 값은 각각 2.5, 그리고 2.1로 본래회로와 동일하였다. 오차율은 각각 6.0%와 2.8%이다. IN의 측정값은 4.8이며, 오차는 13.6%으로 매우 높다. 이것의 이유는, 실험 때 우리조가 사용하는 멀티미터가 전류측정이 되지 않기 때문에(디지털, 아날로그 멀티미터 둘다 전류측정이 되지 않는다) 다른 조의 아날로그 멀티미터를 빌려서 실험하였는데, 0점 조절 밑 멀티미터 Reading에서 오차가 커졌다고 생각할 수 있다. 마지막으로 Rn의 측정값은 2.48k이며, 계산값과 동일하다. 이것은, 저항측정은 디지털멀티미터로 하였기 때문에 오차가 거의 없었다고 볼 수 있다.

참고 자료

J.D. Irwin, Basic Engineering Circuit Analysis, 8/e , Wiley, 2005