2011년도 2학기에 들은 따끈따끈한 논리회로실험 (아주대)

소개글

2011년부터 바뀐 논리회로실험 보고서입니다. 예비보고서 결과보고서 같이 첨부합니다.
소스 안탔고 직접 손으로 써습니다. 좋은 공부자료가 되길바랍니다

목차

논리회로 실험 프로젝트 보고서.hwp
논리회로실험 4 결과.hwp
논리회로실험 7 결과.hwp
논리회로실험 8 결과.hwp
논리회로실험 8예비.hwp
논리회로실험 결과1.hwp
논리회로실험 결과2.hwp
논리회로실험 결과3.hwp
논리회로실험 결과5.hwp
논리회로실험 예비1.hwp
논리회로실험 예비10.hwp
논리회로실험 예비2.hwp
논리회로실험 예비3.hwp
논리회로실험 예비4.hwp
논리회로실험 예비5.hwp
논리회로실험 예비6.hwp
논리회로실험 예비7.hwp
논리회로실험 예비9.hwp
논리회로실험결과 9.hwp

본문내용

1. 실험 의의
◎ 이번 실험은 RAM에 대하여 알아보고 NAND 게이트로 구성한 F/F을 이용하여 직접 RAM을 설계하였다.
◎ RAM 이란 Random Access Memory의 약자로 메모리의 일종이다. RAM은 휘발성 메모리라 불리는데 이는 전원이 차단되면 저장된 데이터가 날아가는 성질 때문이다. 이를 이용하여 우리는 실험 중 전원을 차단하여 데이터 저장 유무를 체크할 수 있었다. Random Access 란 무작위 하게 접근한다는 것이 아닌 일방적으로 순차적으로 데이터를 읽는 기존의 방식과 다르게 원하는 주소의 데이터를 읽을 수 있다는 장점이 있다. 이 때문에 컴퓨터의 빠른 처리속도에 큰 영향을 끼친다.

2. 실험 수행 과정
1) 실험 1 회로를 구성한다.
2) OE0, 1단으로 PART 1이냐 PART 2냐를 설정한다. (주소설정)
3) IN0, 1으로 읽거나 쓸거냐를 설정한다. (Write, Read 설정)
4) WR0, 1으로 입력할 데이터 값을 설정한다.
◎ 첫 번째 실험은 직접 74HC00과 74HC03으로 구성된 회로를 만들고 2-bit RAM을 구성하는 것이다. 여기서 주의 할 점은 마지막 74HC03의 단에서 앞의 게이트를 거치며 약해진 신호를 증폭시키기 위하여 5V의 전원을 10KΩ과 연결하여 실험 결과가 명확하게 나오도록 해야 하는 것이다. 5V를 제거하고 실험해보았는데 LED의 밝기가 매우 약하고 점멸하여 실험에서 큰 어려움을 겪었을 것이라 생각했다.
◎ 첫 번째 실험에서 두 번째 어려웠던 점은 바로 WR0, 1의 입력문제였다. 예비 보고서를 작성하면서 WR0, 1의 역할이 PART1, 2의 저장되는 데이터를 결정하는데 WR 0, 1이 반전이 되어야 한다. 아래 표와 같이 정리가 가능하다.

이 점을 주의하여 실험을 하였고 큰 어려움 없이 원하는 결과를 Out Put 할 수 있었다.
1) 실험 2 회로를 구성한다.
2) A/A~A/D 까지 데이터를 저장할 주소를 설정한다.
3) ME와 WE의 상관관계를 주의하여 데이터 입력과 출력을 결정한다.
4) D1~D4로 원하는 데이터 값 0 혹은 1을 입력한다.
5) O1~O4로 버블이 달려있음에 유의하여 데이터 출력을 확인한다.
◎ 두 번째 실험은 74LS89를 이용하여 64 bit IC RAM을 구성하고 올바르게 데이터를 읽고 쓰고 휘발성을 실험하는 실험이었다. 실험 중 LED의 +단을 VCC쪽으로 -단을 회로 쪽으로 연결하여 테스트를 하여야 올바른 결과가 나오는 실험이었다.
◎ 가장 어려웠던 점은 ME와 WE를 이용한 Write와 Read를 설정 하는 것이었는데 이는 WE단과 ME단의 입력이 버블이 있음을 유의하여 실험 하여서 자칫 혼란스러울 실험을 수월하게 수행하였다. WE와 ME는 아래와 같이 표현이 가능하다.

참고 자료

없음

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논리회로실험 4 결과.hwp
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논리회로실험 8 결과.hwp
논리회로실험 8예비.hwp
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