트렌지스터 예비보고서

소개글

인하대학교 전자공학과 A0자료입니다.

목차

1. 실험목적
2. 실험 장비 및 부품
3. 기본이론
4. 실험내용
5. 참고문헌

본문내용

3. 기본이론
1)NPN, PNP 트랜지스터
<그림 1. NPN, PNP 트랜지스터의 구조와 기호>

트랜지스터는 P형 반도체와 N형 반도체를 <그림1>과 같이 3개 층으로 접합한 것으로 PNP형과 NPN형으로 나눈다. 이들 3개의 층을 이미터, 베이스, 컬렉터라 하며, 이 중 베이스는 극히 얇은 층으로 되어 있다. 트랜지스터는 증폭 작용을 하는데 <그림1>은 PNP형과 NPN형 트랜지스터의 구조와 기호를 나타낸 것이다. 먼저 NP형 트랜지스터를 원리를 살펴보면 BE 사이에 VBE전압을 가하면 이미터의 일부 전자는 베이스의 정공과 결합하는데 베이스가 매울 얇고 EC사이에 더욱 높은 전압 VCE를 가하므로 이미터 대부분의 전자는 베이스를 지나 컬렉터로 이동하여 전류가 흐르게 되는 것이다. PNP형 트랜지스터도 NPN형과 같은 원리를 이용한 것인데, 전류의 이동 방향만 반대가 되는 것이다.

참고 자료

김진수, 「전기전자실습」, 한국학술정보(주), 2009, pp.249-258
안전관리연구회 ,「전기전자기초실습」, 신광문화사, 1999, pp.121-156
비행, http://blog.naver.com/qlgod8215, 트랜지스터종류, 2009/10/19
(북청물짱, http://blog.naver.com/hjo0075, FET이론, 2004/11/08