[결과보고서] MOSFET 특성 실험

*윤*

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최초 등록일: 2011.11.10
최종 저작일: 2011.10; 4페이지/ 한컴오피스; 가격 2,000원

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전자회로실험

본문내용

실험 목적
MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정한다.

관련 이론
공핍형 MOSFET의 공핍모드 동작

게이트에 음의 전압을 가하면 게이트의 음전하는 채널 밖으로 더 많은 전도전자를 밀어내어 채널의 전도도가 감소 하게 된다. 게이트의 음전압을 크게 할수록 채널의 전도전자는 더욱더 줄어들어 드레인 전류가 점점 감소하면, VGS= VGS(off)이면 드레인 전류가 흐르지 않는다.

공핍형 MOSFET의 증가모드 동작
양의 게이트-소스 전압이 인가되면 공핍형 MOSFET는 증가모드로 동작된다. 게이트에
양의 전압을 가하면 게이트의 양전하는 채널로 더 많은 전도전자를 잡아 당겨 채널의
전도도가 증가하게 된다.

증가형 MOSFET
증가형 MOSFET는 증가 모드로만 동작한다. 증가형은 공핍형과 달리 인위적으로 물리적인 채널을 만들지 않는다. 아래 그림에 기판이 SiO2층까지 완전히 확장되어 채널이 만들어져 있지 않음에 주의하라.

참고 자료

없음

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