전기전자 응용실험 결과 트랜지스터
- 최초 등록일
- 2011.10.11
- 최종 저작일
- 2011.05
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목차
1. 실험내용
2. 실험 순서
① 다음 회로에서 전압을 0에서 5V 사이로 가변시키면서 전압의 변화를 관찰하여라.
② 다음 회로에서 Function generator의 offset 전압을 0에서 3V 사이로 가변시키면서 전압과 전압의 파형을 그려라.
3. 실험 결과
본문내용
RESULT
- 트랜지스터(Transistor) 응용회로 실험 -
1. 실험내용
트랜지스터 응용회로를 통해 트랜지스터의 특성과 그 활용에 대해서 알아본다.
2. 실험 순서
① 다음 회로에서 전압을 0에서 5V 사이로 가변시키면서 전압의 변화를 관찰하여라.
② 다음 회로에서 Function generator의 offset 전압을 0에서 3V 사이로 가변시키면서 전압과 전압의 파형을 그려라.
3. 실험 결과
①번 문제
베이스 전류가 0인 경우
결론 및 고찰 :베이스 전류가 0인 경우에 트랜지스터는 차단 상태에 있다고 생각할 수 있다. 이런 상황에서는 주로 열에 의해 생성된 반송자들로 인해 매우 적은 양의 컬렉터 누설전류 가 흐른다. 는 그 크기가 아주 작기 때문에 무시해도 무관하다. 따라서 를 와 같은 것으로 간주한다. 차단영역에서, 베이스-이미터 접합이나 베이스-컬렉터 접합 모두에 역방향 바이어스가 가해진다.
베이스 전류가 증가할 경우
결론 및 고찰:bias 회로에서 와 에 대한 관계식은 다음과 같다.는 전류증폭률을 나타내며 대략 200정도를 유지하는데 가 증가하면 가 증폭되고 는 10V로 일정한 전압을 공급하므로 콜렉터 - 에미터 간 전압 가 감소하게 된다. 하지만 가 포화값에 도달하면 베이스 - 컬렉트 접합은 순방향으로 바이어스가 되고 는 가 계속 증가해도 더 이상 증가하지 않는다. 그래프를 보면 가 4V 이상부터는 전압이 일정한 것을 확인 할 수 있다.
참고 자료
없음