초정밀 가공
- 최초 등록일
- 2009.08.30
- 최종 저작일
- 2005.01
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소개글
초정밀 가공에 대한 정리입니다.
목차
초정밀 가공에 관해 예를 들고 설명하시오
(제품명, 가공, 공정, 최종정밀도 주의사항 기타)
본문내용
초정밀 가공에 관해 예를 들고 설명하시오
(제품명, 가공, 공정, 최종정밀도 주의사항 기타)
◉제품명-wafer
◉규격-2”,3”,4”,5”,6”,8”,12”
◉가공법-일반적으로 wafer 제조에 쓰이는 방법은 Czochralski Method이다.
◉공정법-Cz-Si를 만드는 방법은
1. 다결정 실리콘을 높은 온도에서 녹여 액체 상태로 만듭니다.
2. 실리콘 성장의 핵이 될 단결정 실리콘 막대를 액체 속에 넣고 아주 천천히 회전을 시켜서 결정이 천천히 성장하도록 만듭니다.
3. 위의 공정을 거쳐서 만들어진 실리콘 단결정 덩어리(Ingot)을 wafer 형태로 만들기 위해
일정한 두께로 잘라냅니다. 이 공정을 Slicing이라고 합니다.
4. Slicing 공정 중 발생된 wafer 표면의 Damage를 제거하고
wafer의 두께와 평탄도를 균일하게 만들기 위해 연마 공정을 합니다. (Lapping)
5. 화학 용액으로 Wafer 표면에 남은 Damage를 제거합니다.
6. wafer 본래의 저항률을 갖도록 하기 위해서 Boron Gas 분위기에서
고온으로 장시간 열처리를 한 다음에 급속 냉각을 합니다.
7. 거칠어진 wafer 표면을 고도의 평탄도를 갖도록 연마 공정을 합니다. (Polishing)
8. Polishing 후 wafer 표면에 붙은 오염 입자들을 제거합니다.
참고 자료
없음