트랜지스터

소개글

트랜지스터, TR, NPN, PNP

목차

I. 이론

1. 트랜지스터기초 (TRANSISTOR)
2. 접합 트렌지스터
3. ICBO와 트랜지스터
4. 트랜지스터의 기초;밑면과 설치
5. 트랜지스터 회로를 다루고, 트랜지스터를 측정하기 위한 기본 수칙

II. 실험

본문내용

I. 이론

1. 트랜지스터기초 (TRANSISTOR)

실리콘이나 게르마늄으로 만들어진 반도체를 세 겹으로 접합하여 만든 전자회로 구성요소. 전류나 전압흐름을 조절하여 증폭, 스위치 역할을 한다. 가볍고 소비전력이 적어 진공관을 대체하여 대부분의 전자회로에 사용되며 이를 고밀도로 집적한 집적회로(IC)가 있다. 접합형 트랜지스터(BJT)와 전계효과 트랜지스터(FET)로 구분한다.

※참조
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그림 트랜지스터


C1815는 트랜지스터 이름 (PART NO) 2SC1815를 약자로 표시한 것이며, Y는 HFE(DC Power GAIN) 곧 DC증폭율 표시로서 회로 설계시 참고 자료로 활용한다.

증폭율을 나타내는 데는 Y,O,G,GR,BL 등의 문자들이 사용되는데 증폭율 표시는 같은 이름의 부품에 대해서는 만드는 회사와 관계없이 동일하다. 그러나 2SC380Y와 같이 품목이 바뀌면 같은 Y급이라도 증폭율 범위가 다르다는 것을 참고하기 바란다.
9B는 Date Code로써 만들어진 시기를 표시한 것으로 품질 및 자재관리에 활용한다.
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트랜지스터는 1947년 미국 벨연구소의 윌리암 쇼클리(Wiliam Shockley), 존 바딘(John Bardeen), 월터 브래튼(Walter Brattain)에 의해 처음 발명되었다. 보통 트랜지스터는 접합형 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor: BJT)를 의미하며 전계효과를 이용한 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET)가 있다.

참고 자료

없음