ICP-AES에서 슬러리 직접 도입법요약

등록일 2001.09.25 한글 (hwp) | 2페이지 | 가격 500원

목차

ICP-AES에서 슬러리 직접 도입법과
고압산분해법을 이용한 Si3N4 분석방법에 대한 연구

본문내용

본 연구는 ICP를 이용해서 Si3N4 중의 미량성분을 분석하는 방법 중에 시료의 전처리 방법을 연구하는 것을 목적으로 한다.
난용성 분말시료인 Si3N4을 분해하는 방법으로는 여러 가지가 있을 수 있지만 본 연구에서는 HF, HNO3, H2SO4등을 사용한 고압 산분해법을 이용하여 시료를 분해한 후, ICP-AES에 도입하여 분석하였다. 이러한 전 처리 과정을 이용하게 되면, 시료 중에 존재하는 매트릭스를 제거할 수 있으므로 이로 인해 생기는 방해영향을 피할 수 있다.
그러나 고압 산분해법을 이용하여 시료를 분해하는 데는 긴 시간이 걸리고, 또한 특별한 장치가 필요하며, 전처 리 과정이 복잡하다. 본 연구에서는 슬러리 직접 도입법을 이용하여 Si3N4 중의 미량성분을 분석하는 방법을 연구하였다. 슬러리 직접 도입법을 이용한 분석방법은 시료의 전처리 과정이 간단하고, MDSN을 제외하면 특 별한 장치가 필요하지 않으므로 분석이 용이하다.
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