"Nitride" 검색결과 281-300 / 542건
공구재종 및 코팅
육각형 구조에서 diamond에 근사한 구조로 변형시키고, 결합제인 메탈과 boron nitride 를 충분히 혼합하여 고온 고압 하에서 필요한 형태로 소결한 것. ... 전단강도 작음 압축강도 높음 공구 재료 및 특징 3) CERMET 4) cBN (입방정 질화붕소) 1500℃에서 8GPa의 고온 고압을 유지할 수 있는 장비를 사용하여 boron nitride 를
리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.05
세라믹 나노복합재료의 제조 및 응용-학사논문
Innovat., vol.2, issue 2, 83-86(1998) 5) Machinability of Silicon Nitride /Boron Nitride Nanocomposites ... Soc., 85 [11] 2689-95 (2002) 6) Fabrication and Microstructure of Silicon Nitride /Boron Nitride Nanocomposites
리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.28
[반도체] cmos공정순서
O2 가 들어가서 확산을 잘 못하므로 그쪽은 산화막이 않생긴다 12.Nitride Strip 13.Buffer Oxide Strip 14.Sacrificial Oxidation Temp ... 600분정도 확산 7.Oxide strip Oxide 제거하기 위해 HF(불산)용액을 쓴다 8.Buffer Oxidation Temp=1000 ºC TOX(두께)=450Å Gas=O₂ 9.Nitride ... Coating 2)Mask정렬 후 노광 3)현 상 4)Etching Dry etching-CF4+O2 GaS로 Si3N4를 제거 5)P/R Remove 11.Field Oxidation Nitride 에는
리포트 | 45페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.03.07
러시아 LED 조명 시장 보고서
고순도 가스, 금속, 기판, 반도체 물질, 발광체와 같은 원자재나 순수 물질 등은 러시아에서 생산 가능하나, 실리콘 카바이드(silicon carbide)나 니트라이드(nitride
리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.05.09
반도체 공정 및 장비 정리
Pasivation4 역할 개개 소자의 분리 역할 MOS5 Device에서 Gate Oxide 및 Capacitor Dielectric6 Silicon 산화 외에 Polysilicon 혹은 Nitride
리포트 | 118페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.08.25 | 수정일 2020.06.11
[직접회로 공정론]0.2㎛ CMOS 설계
O2 Thickness : 1000±100Å Oxide strip Nitride Nitride deposition 17 Buffer oxidation 16 Clean 15 Oxide ... 14 Temperature : 1000 C Thickness : 450±40Å Temperature : 785C Thickness : 1600±100Å Active mask Nitride ... 21 P/R strip 20 Ion species : 11B+ P/R strip P-sub Oxide N-well FDOX FDOX FDOX Buffer oxide strip 28 Nitride
리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.07.02
금속산화물 및 질화물의 합성 실험
. ▷ 표 AlN분말의 합성법 Carbothermal reduction Direct nitrid ation Flotation nitrid ation CVD Vapour phase Organometallic
리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.27
ICP-OES의 이론 및 분석방법
Also, using inert gas (argon) makes oxides and nitride s harder to be generated.
리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.10.24
전기물성 LED의 종류와 현재기술 동향
개발된 이후 40여 년이 흘렀지만 지금처럼 많은 사람들의 관심을 끌기시작한 건 그리 오래된 일이 아니다. 1990년대 초InGaAlP를 이용한 고휘도 적색 LED 개발과 질화물계(nitride
리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.09.15
[공학]표면경화 열처리
질화(nitrid ing) 질화는 침탄효과보다 표면층이 훨씬 얇고 500~600℃의 변태점 이하의 온도에서 처리하기 때문에 변형이 적은 표면경화법으로서 금형에 널리 이용되고 있다.
리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.10
CMOSINVERTER공정설계
p1.x=29 right etch nitride start x=13 y=-5 etch con x=13 y=2 etch con x=15.7 y=2 etch done x=15.7 y= ... line x loc = 30 spac = 0.5 line y loc = 0 spac = 0.05 line y loc = 5 spac = 0.5 #####p1.x=1 left etch nitride ... stop region ###### implant boron dose= 1e14 energy=40 tilt=0 rot=0 diffuse time= 100 temp=950 wet etch nitride
리포트 | 12페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13
SPM / STM / AFM 제조공정 및 개요
Silicon , silicon nitride 로 만듦 길이 100-200㎛, 넓이 40㎛, 두께 0.3-2㎛ non-contact 방법에서는 작동하는 진동 주파수의 범위가 넓어야 한다
리포트 | 34페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.06.19 | 수정일 2015.12.14
도로커터기 감속기 설계
침탄(carburizing)은 깊이 2mm까지 탄소로 된 포화층으로 구성되어 있으며, 질화(nitrid ing)는 질소로 포함된 표면층을 포함하고 있다.
리포트 | 25페이지 | 4,500원 | 등록일 2013.06.13
LED의 개념 및 특징
LED에 주로 사용하는 AlGaInP(Aluminium Gallium Indium Phosphide) 칩에서는 적색부터 황갈색(Amber)까지, InGaN(Indium Gallium Nitride
리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.08.06
Quantum dots for imaging
certain conditions. indium phosphate (InP), indium arsenate (InAs), gallium arsenate (GaAs) and gallium nitride
리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.09.23
2015년 최신판 도자기의 이해 정리집
무기물질을 주원료로 사용하는 산화물(Oxide), 질화물(Nitride ), 탄화물(Carbide) 등의 재료(Al2O3, Fe2O3, Si3N4, AlN, SiC, TiC) - 산화물
시험자료 | 132페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.01.20
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