"cvd" 검색결과 41-60 / 2,281건

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  심근경색 CCU 실습

  ) : 시각 통증 척도 CAOD (coronary artery occlusive disease) : 관상동맥 폐쇄질병 3VD (3 Vessel disease) : 3가지 혈관 질병 ... #STEMI #CAOD 3VD #s/p PTCA c stent at dLCX and pLAD[2017.02.14] - CAG & PCI 후 CCU입실 STEMI(segment elevation ... ) 골절 sprain 염좌 colles fracture 콜리스골정 scoliosis 척추측만증 reduction(open,closed) 정복, 교정, 환원 bone graft 골이식

  리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.20

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  삼성전자 반도체 직무 인턴 합격자소서

  1.삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오. 700자 (영문작성 시 1400자) 이내 최고를 위해 아낌없이 투자하고 연구하는 삼성의 도전적인 자세는 패키지 개발 엔지니어가 가져야 할 참된 태도와 같다고 생각합니다. 삼성은 여전히 세계 ..

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.03

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  삼성전자 반도체 직무 합격자소서

  1.삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오. (700자 이내) [파운드리 사업 육성의 호기] 예측 불가능한 D램 호황 사이클, 팹리스 업체 증가 추세 등 현 상황에서 삼성전자의 경쟁력을 키울 방안은 파운드리 사업을 육성하는 것입니다. ..

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.03

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  삼성전자 반도체직무 합격자소서

  입사 초기에는 현재 양산하고 있는 메모리제품의 단위 block들을 공부하고 설계하며 전체적인chip에 대한 이해도를 높이고 flow를 배우겠습니다. ... Analog 단위 block 설계를 하는 block의 이해는 물론, layout, 응용기술, 공정 등 여러 팀과 협업 및 소통을 하였고 반도체 chip의 전체적인 flow를 알게 되었습니다

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.03

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  [나노화학실험] CVD 결과보고서 Chemical Vapor Deposition 화학기상증착 TiO2 박막 증착

  리포트 | 5페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.06.23

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  반도체 공정 관련 내용 정리 리포트

  Plasma => damage : 1) etch 2) iip 3) pvd 4) cvd Mean Free Path : a지점에서 b지점 충돌 후 다시 b지점 돌아올 때 가지의 확률 ... 2) HMDS: 친수성 -> 소수성 3) wafer cooling PR coating : static(정지 상태에서 nozzle 분사 후 wafer 고속회전, past) -> dynamic ... h) gas phase diffusion Ks Atomic Layer Deposition [as aspect ratio goes high conventional CVD cannot

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.12

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  부산대학교 응용전기전자실험1 8장 예비보고서

  따라서 C1과 C2 전압의 합은 2Vp-2Vd가 된다.결국 C3에 C1, C2의 전압의 합(2Vp-2Vd)이 충전되고 그 충전된 전압이 Rb로 방전 되면서 출력이 나오는 원리이다. ... *Vin의 peak전압 = Vp, diode on 전압은 Vd로 사용입력 전압이 양일 때는 D1 다이오드가 ON이 되어 C1에 Vp-Vd가 충전된다. ... 반대 로 입력 전압이 음일 때는 D2 다이오드가 ON이 되어 C2에 Vp-Vd가 충전된다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.11.13

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  AMK 서류합격 자소서(국문+영문)

  [To develop global competence] I think global capacity is to challenge a new culture as well as communication ... AMK is the best company to achieving my goal and with my expertise I can contribute to this company for ... each company.

  자기소개서 | 5페이지 | 6,000원 | 등록일 2020.06.25

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  [물리전자2] 과제5 한글작성 내용 요약 Load line부터 (6단원)

  이 때 E = iDR+vD의 그래프와 트랜지스터의 I-V characteristic를 한 그래프에 그려 나온 접점이 steady state value of the current and ... Fig.6-2(b)에서는 VG에 따라 iD와 vD가 달라지는 걸 볼 수 있다. ... 트랜지스터 내부값이 vD와 iD는 실험을 통해 그래프로 그릴 수는 있어도 수식으로 나타내기는 어렵다.

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.12.21 | 수정일 2023.12.30

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  관상동맥질환, 협심증, 심근경색, 관상동맥조영술, CAG

  협착⇨Two vessel disease(2VD)(=Double vessel disease)③개의 협착⇨Three vessel disease(3VD)(=Triple vessel disease ... 관상동맥의 해부학(Anatomy of coronary artery)관상동맥이란 대동맥으로부터 갈라져 나와 심장근육에 혈액을 공급하는 혈관1) LCA(Left coronary artery ... 관상동맥질환(Coronary artery disease, CAD)LCA(Left coronary artery), 좌측관상동맥 혹은 RCA(Right coronary artery),

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.06.16

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  전자회로실험 실험 2 - 다이오드 특성 결과 보고서 (보고서 점수 만점)

  ⓒ또라 blog.naver.com/sora8324 ※무단 전재 및 재배포 금지 ... rd = = = = 9Ω rd = = 2.888… = 2.89Ω ID = 3mA 일 때, VD = 0.632, ID = 1mA 일 때, VD = 0.59이므로 rd = = = = ... 연습 문제 6 ..PAGE:8 모의실험 7 위 모의실험에서 볼 수 있듯이 600mV와 700mV의 다이오드 전압에서 DC 저항은 VD가 700mV 일 때 ID 는 9.1mA, VD가

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.05.03 | 수정일 2024.05.10

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  기계공학실험 - 레이놀즈실험

  평균속도, D : 관의 직경, ν : 동점성계수, μ : 점성계수) Re=VD/ν=0.14854*0.02/(0.8581*10-6)=3462 (∵물의 온도 27[˚C]에서 물의 동점성계수 ... . - 비커의 단면적 A=200[cm2], 관의 직경 D=20[mm] - 층류 높이 H=3.5[cm], 시간 t=30[sec], 온도 T=27[˚C] - 천이류 높이 H=7.0[cm ... ], 시간 t=30[sec], 온도 T=27[˚C] - 난류 높이 H=22.0[cm], 시간 t=30[sec], 온도 T=27[˚C] ② 측정된 시간당 유량 데이터를 이용하여 관내

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.09

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  MOSFET 에너지 밴드

  Vg >> Vth, Vd < Vpinch 동작점 C보다 Gate 전압이 더 많이 인가된 경우이다. ... Vg > Vth, Vd = Vpinch 마찬가지로 Gate 전압이 Threshold Voltage보다 높아지게 되면서 Channel이 형성되고 동작점 C와 마찬가지로 전류가 흐를 것이다 ... Vg > Vth, Vd > Vpinch 마찬가지로 Gate 전압이 Threshold Voltage보다 높아지게 되면서 Channel이 형성되고 동작점 C와 마찬가지로 전류가 흐를 것이다

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.05.13

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  전자회로실험 A+ 3주차 결과보고서(Diode Characteristic&Large/Small Behavior)

  결과: Value [V] VD,on 0.570 (1) 6. ... 특정 전압 이상의 전압이 걸려야 전류가 흐르는 것을 알 수 있는데, 이 전압이 VD,on입니다. ... Use recorded data, find VD,on. 5. Change the circuit shown in Figure 1.3 6.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.21 | 수정일 2023.07.25

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  꿈꾸는 다락방 _ 생생하게 꿈꾸면 이루어진다.

  오나시스와 스필버그가 사용한 꿈의 공식 chapter2 꿈꾸는 능력에 따라 인생이 달라진다 chapter3 노력보다 중요한 것은 꿈꾸는 능력이다 chapter4 성공은 R=VD 가 ... 결정한다 chapter5 사람은 생생하게 꿈꾸는 그대로 된다 chapter6 R=VD 효과의 증거자들 chapter7 우리의 뇌도 꿈꾼다 세상에는 평생 허리가 휘도록 노력하고 일 ... 당신이 원하는 곳으로 chapter3 말하는 대로 현실이 된다 chapter4 글로 적고 읽는다 VD 의 공식은 생생하게 꿈꿀 것을 요구 합니다만 , 생생히 꿈꾸기는 쉽지 않습니다

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.09

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  3주차_3장_예비보고서_직렬병렬다이오드구조

  VD에 대해서는 Vr 값을 기입하라. c. DMM으로 전압 VD와 VO를 측정하고, 측정값으로부터 전류 D를 계산하라. 순서 2(b)의 결과와 비교하라. ... 순서 1에서 측정한 VD와 VO 그리고 측정한 R1, R2를 이용하여 VO와 ID의 이론적인 값을 계산하라. VD에 대해서는 VT 값을 기입하라. f. ... 순서 1에서 측정한 두 다이오드의 VT를 이용하여 VO의 이론적인 값을 계산하라. c. Vo를 측정하고 순서 4(b)의 결과와 비교하라. d.

  리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.11.30

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  전자공학실험 14장 MOSFET 다단 증폭기 A+ 결과보고서

  584 10 26.55 28.48 15.6-(-6.4)=22 10 2880-(-3040)=5920 10 269.09 48.6 (a) 입력 파형 (b) 출력 파형(첫 번째 출력단) (C) ... 10 388.46 51.79 13.6-(-7.2)=20.8 10 3520-(-3280)=6800 10 326.92 50.29 (a) 입력 파형 (b) 출력 파형 (첫 번째 단) (c) ... 이 경우 M1, M2, M3의 각 단자들의 전압(VD1, VG1, VS1, VD2, VG2, VS2, VD3, VG3, VS3) 및 전류(ID1, ID2, ID3)를 구하고, [표

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.05.13

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  A+ 성인간호 심장내과 심부전, 협심증 케이스 스터디(간호진단 3개, 간호과정 3개)

  prev.stent on p&mRCA, mLAD-> Failed to PCI to LCx 2013.03.11.) 3VD, Patent stent, no change(mLAD stent ... ), CKD -Echo CG: c/w multivessel disease, Mild to moderate functional MR, LAE -CAG: 3VD -EF=43% -[심뇌혈관질환 ... , mRCA(Express 2.75*24) 2007.02.26.) severe 3VD, mRCA stenting(Cyper 2.75*33) 2010.12.16.) 3VD, Patent

  리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.11.27

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  일반물리실험_강체의 공간 운동_검토 및 토의

  강체의 운동으로부터 역학적 에너지보존법칙이 상립함을 확인하고 병진운동과 회전운동을 이해하는 실험으로, 공기 저항의 마찰로 인해 에너지가 분산되는 등의 오차를 고려하면 A, B, C, ... H의 높이는 강체가 겨우 한 바퀴를 돌 정도로 하여 구심력과 중력이 같도록 하는 높이를 찾아준다. x축 거리를 재어 (1)vd=..식에 대입래 이론 값을 구하고 (2)vd=== 포사체 ... 분석 및 이해 쇠 공과 플라스틱 공으로 한 두 실험 모두 크기가 비슷한 강체여서 y축 거리와 이론값의 vd와 실험값 모두 거의 같게 나왔다.

  리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.04.02

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  전자회로실험2_13장 JFET_

  VGS = -1.8487V, VD = 13.459V, VS= 1.849V, VDS= 11.611V, VG= 13.88uV VGS,VD,VS,VDS,VG의 값을 측정하고 아래의 식을 ... /gusehd2512/220971392265" https://blog.naver.com/gusehd2512/220971392265 [2] 전자회로실험 교재 예비보고서 전자회로실험2 ... 6.313V 6.59V 4.38 V(D) 11.21V 11.178V 1.15 V(S) 4.738V 4.5868V 3.19 순서 (e)에서 측정한 전압으로부터 I(D_Q)를 계산하고 (c)

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.11.30

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