"ingot" 검색결과 301-320 / 419건

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  반도체 제조공정

  단결정 성장 (Polisilicon Creation) : 고순도로 정제된 실리콘 ( 규소 ) 용액에 SEED 결정을 접촉한 기둥을 넣어 회전시키면서 단결정 규소봉 (INGOT)

  리포트 | 25페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.10.22

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  [국제무역계약론][무역]비엔나협약사례

  .◈ 품목 : 1급 알루미늄괴(Primary Aluminium Ingot),◈ 수량 : 1,000통,◈ 가격: 톤당 1994. 8월 LME(London Metal Exchange)

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.20

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  UT란

  피로결함검사- 각종 재료의 음속측정APPLICATIONS- Inner Crack Inspection of Several Metals(Forging, Casting, Rolling, Ingots

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.28

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  Wafer Scribing and Cleaning

  기구 및 시약 1) Si Wafer - IC칩 제조에 이용되는 반도체로 만들어진 기판으로 그 재료가 실리콘인 것 - 원료 물질을 잉곳(ingot)이라 불리는 직경 120mm에서 200mm

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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  태양전지 동향 및 전망

  웅진에너지 웅진코웨이가 세계 최고 효율의 태양전지 제조기술을 보유하고 있는 미국 선 파워(SunPower)사와 잉곳(ingot: 원추형의 실리콘 덩어리로, 태양전지(cell)를 만들기

  리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.11

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  Crystal Growth

  만일, MELT의 온도가 낮게 되면 MENISCUS가 부분적으로 발생하거나, SEED주위에 ICE(고체)가 발생하게 되어 올바른 INGOT으로 성장시킬 수 없다.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.17

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  반도체공정

  규소봉 절단성장된 Si ingot을 균일한 두께의 얇은 wafer로 잘라낸다.Division of Semiconductor Electronic Engineering3. ... 단결정 성장고순도로 정제된 실리콘 용융액에 seed결정을 접촉하고 회전시키면서 단결정 ingot을 성장시킴Division of Semiconductor Electronic Engineering2

  리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.12.26

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  합금의 열분석 2

  재료와 실험 방법◇ 실험재료Al igot, 도가니, 전기로, 열접점, 초시계◇ 실험 방법① Al igot을 도가니에 담아 전기로에 넣고 Al의 융점보다 높은 온도로 가열한다.② ingot이

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.08

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  [전자공학] 반도체 제조 공정

  Resin을 접착하고 그 위에 Ingot을 Epoxy 또는 Bond를 이용하여 접착시키고, Ingot의 절단 시 발생할 수 있는 Exit Edge Chip을 방지하고 일정한 상태로 ... PAGE:4인상로의 구조..PAGE:5단결정 성장 과정고순도로정제된 실리콘용융액에 SPEED 결정을 접촉, 회전시키면서 결정 규소봉(INGOT)을 성장시킴..PAGE:6Bridgeman ... Washing..PAGE:10Ingot MountingSlicing공정을 진행하기 위한 준비 공정, Work Table위에 Carbon Beam 또는 Polyurethane Epoxy

  리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.03

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  단결정 성장 방법에 관한 조사 입니다.

  성장하고자 하는 단결정을 매달아 둔 뒤 Carbon heater안 에 용융상태로 만든 원재료에 담가 회전 시키면서 2~5 cm/hr 속도로 위쪽으로 끌 어 당겨주면 원재료가 식으면서 Ingot상태로

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.09

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  신용장거래 클레임 통지 지연에의한 하자

  신청인은 피신청인으로부터 Antimony Ingot 60M/T을 톤당 US$1,450. 총액 US$87,000에 수입하여 일양화학에 공급을 하였다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.12.17

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  금속의 생체재료와 기업

  주조기술티타늄 선재 가공기술세라믹 도가니 제조기술세라믹 코팅시술티타늄 용접 및 가공 시술 개발기술 및 제품 주요 생산품Golf HeadTarget Material초탄성 티타튬 인고트(Ingot

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.03 | 수정일 2021.07.08

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  열화상카메라

  전기 산업 열화상 카메라 적용 예 실리콘 웨이퍼 – Active Thermography Camera Lamp Silicone ingot Silver SWIR 카메라 실리콘 웨이퍼의

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.16

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  [금속공학] 비철재료제조법

  Al2O3전해로에서 -> (양극에 CO, CO2 발생, 음극에 Al 석출Al2O3 += 2Al +CO2 (Al은 ingot으로 품위 99.85%)④Al의 정제용융염 전해 ???? ... 측구 설치)1400 A 용량의 노에서 1일 120~130kg을 양극합금에 장입순 Al이 약 100kg 얻음, 욕전압 6.5V 전류효율 95% 전력소비량 20000kwh/t Al은 ingot으로

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.13

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  영문이력서 / 경력직, 이직용 ( 신입도 참조가능 )

  (Especially Diffusion,CMP,packaging,Si-ingot cutting,LCD glass cutting) -Responsible for technical support

  이력서 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.10.19 | 수정일 2013.10.22

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  반도체재료의 물리적정제

  GeO2 + 2H2 → Ge + 2H2O 이 환원된 Ge 은 분말 상태로 되어 있으므로, 100[℃] 에서 한 번 녹인 다음에 냉각시켜서 Ge잉곳(ingot)을 얻는다.

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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  진정한 반도체강국으로 탐방계획서

  이 Ingot을 원통형의 수평방향으로 얇게 잘라서 평탄화, 식각, 열처리, 연마, 세척을 통해 웨이퍼가 완성된다. ... 이 과정을 통해 만들어진 Ingot(주괴)는 하나의 실리콘 단결정이며 원통형의 지름에 따라 웨이퍼의 size가 결정된다.3. ... 하지만 잉곳(Ingot) 생산, 웨이퍼의 가공, 차세대 웨이퍼로 각광 받는 SOI 웨이퍼 및 300mm 웨이퍼의 제조는 외국의 선두업체에 뒤지지 않는다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.05

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  Silicon based Solar cell 제조 공정

  .3) 실리콘 성장의 핵이 될 단결정 실리콘 막대를 액체 속에 넣고 매우 천천히 회전시켜서 결정이 천천히 성장하도록 만듭니다.4) 위의 공정을 거쳐서 만들어진 실리콘 단결정 덩어리(Ingot

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.06.20

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  반도체 공정

  Wafer 제작1.1 인곳(Ingot)의 제작웨이퍼의 제작을 위해 우선 단결정 실리콘의 Ingot(주괴)을 만들어야 하며 이 실리콘 인곳을 자르고 다듬는 공정을 거쳐 웨이퍼를 제작.

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.09.06

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  반도체 제조 공정

  정밀화 소비 전력이 감소 다이 사이즈가 소형화 : 원가 절감.반도체 제작 공정1단계 단결정 성장 고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정규소봉(INGOT

  리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.10.31

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