메모리 반도체

소개글

메모리 반도체에 종류별 특성에 관한 자료입니다.
RAM & ROM, 차세대 반도체.

목차

Ⅰ. RAM (Random Access Memory)
1. 개념
2. 필요성
3. 저장 방식과 구성
4. 성능(access time)
5. 종류 ( 논리회로를 보관하는 PAL, PLD도 포함 )
1) 외형에 따른 구분
2) 속도에 따라
3) 기억 방식 에 따라
4) 이용현황에 따라
6. DRAM (Dynamic Random Access Memory)
7. SRAM (Static Random Access Memory)
※ DRAM과 SRAM의 차이점
8. RAM의 발달과정
Ⅱ. ROM ( Read Only Memory)
1. ROM의 정의
2. ROM 구성
3. ROM별 특성
Ⅲ. 차세대 메모리
◆ 차세대 메모리의 종류
1. PRAM (Phase Change RAM)
2. FRAM (Ferroelectric RAM)
3. MRAM (Magnetic RAM)
★ summary

본문내용

반도체 메모리(Memory)는 컴퓨터 주기억장치, IC카드 등에 사용된다. 이러한 메모리는 디지털 데이터, 즉 0이나 1, ON이나 OFF를 기억해 가며 필요할 경우 데이터를 꺼낼 수 있는 것이다. 테이프 리코더는 소리의 신호를 기억 하고 원래의 신호를 꺼내는 것이 가능한데, 이는 자기 테이프를 사용하여 모터 장치로 움직이는 것이다. 반면, 메모리 IC는 다른 테이프나 모터를 사용하지 않고 디지털 신호를 기억해 가며 필요할 경우 그것을 신호로 꺼낼 수 있는 것이다. 일반적으로 1bit의 데이터는 하나의 번지(address)에 대응하는 하나의 메모리 셀(cell)에 기억 된다. 4Mbit RAM이란 명칭을 듣는데, 4M란 정보를 축적 하는 메모리 셀의 숫자를 표시 한다. 4M는 약 400만개의 메모리 셀을 가지게 된다.

메모리는 데이터 접근 방식에 따라 크게 읽기만 가능한 ROM(Read Only Memory)과 읽기와 쓰기가 가능한 RAM(Random Access memory)으로 나뉜다. 이들 메모리들은 기술의 발전에 따라 점차 새로운 메모리가 등장하여 오늘날에는 매우 다양한 메모리 타입이 존재하게 되었다. ROM은 재기록이 전혀 불가능한 마스크롬에서부터 점차 재기록이 가능하게 발전하였으며, 최근에서는 자유롭게 읽고 쓰기가 가능한 플래시 ROM이 등장했다. 따라서 오늘날의 ROM은 기록이 불가능한 메모리를 지칭한다고 하기 보다는 전원이 차단되었을 때도 기록이 보존되는 비휘발성 메모리라고 보는 것이 타당하다. RAM의 경우에는 비록 전원이 차단됨과 동시에 기록이 지워지기는 하지만, 자유롭게 읽고 쓸 수 있기 때문에 CPU의 발전과 함께 가장 빠르게 진보한 메모리 반도체라고 할 수 있다. 따라서 일반적으로 메모리의 기술발전이라고 하면 RAM의 기술 발전을 일컫는다.

참고 자료

없음