[부산대학교 응용전기전자실험2] 사이리스터 결과보고서

목차

1. 실험 목적

2. 실험 결과
a. 사이리스터 단상 브릿지 회로
b. 환류 다이오드가 추가된 사이리스터 단상 브릿지 회로
c. 두개의 다이오드와 두개의 사이리스터 단상 브릿지 회로

3. 결과에 대한 논의
a. 사이리스터와 일반적인 다이오드 비교
b. 유도성 부하를 지닌 단상 브릿지회로에서 전압이 음의 값을 보이는 이유
c. 저항성 부하를 지닌 단상 브릿지회로에서 전압이 음의 값을 보이지 않는 이유
d. 유도성 부하를 지니고 환류다이오드가 추가된 단상 브릿지회로에서 전압이 음의 값을 보이지 않는 이유
E. 2개의 다이오드, 2개의 사이리스터 단상 브릿지회로에서 전압이 음의 값을 보이지 않는 이유

본문내용

1. 실험 목적
- 단상 브릿지 회로를 구성한 후 부하별로 어떻게 전파 정류가 되는지 확인합니다.
- 단상 브릿지 회로에 환류 다이오드를 추가할 경우 어떻게 되는지 확인합니다.
- 두 개의 사이리스터와 두 개의 다이오드로 구성된 브리지를 구성한 후 차이점을 비교합니다.

2. 실험 결과
[사이리스터 단상브릿지회로(유도성 부하) 결선도]
기본적으로 위와 같이 결선을 한 후 각 실험마다 부하 및 다른 소자에 맞게 조금씩 결선을 바꿔가면서 실험을 진행하였습니다.

a. 사이리스터 단상 브릿지 회로
[사이리스터 단상 브릿지 회로도]
위 그림과 결선을 연결한 후 부하에 유도성 부하가 있는 경우와 저항성 부하만 있는 경우를 바꿔가면서 실험을 진행하였습니다.

<중 략>

3. 결과에 대한 논의
a. 사이리스터와 일반적인 다이오드 비교
일반적인 P-N다이오드는 역방향으로 전압을 인가할 경우 P형층의 정공은 애노드 쪽으로 그리고 N형측의 전자가 캐소드 쪽으로 이동하여 전류가 흐르지 않습니다. 여기서 역방향으로 일정 이상 전압을 걸어 Breakdown-voltage를 초과시 파괴되게 됩니다. 그리고 P-N 다이오드는 PN접합으로 한쪽 방향으로만 전류를 흐르게 할 수 있습니다.

반면 사이리스터는 바이어스에 관계없이 게이트에 전류를 흘리지 않을 경우 OFF상태입니다. 일정 이상 양의 전류를 흘릴시 사이리스터는 ON되며 ON이후에는 게이트 전류가 없어도 ON을 유지하며 캐소드와 애노드간의 전류를 0이하로 떨어지면 다시 OFF 됩니다.
ON이 되었다 생각하고 등가회로를 살펴보겠습니다. npn은 양의전류, pnp는 음의 전류가 흐를 때 on됩니다. Vak>0일 때 베이스에 양의 전류를 인가하고, npn 트랜지스터 양단에 양의전류가 인가되어 on됩니다. 이러면 A에서 K로 전류가 도통하여 pnp트랜지스터가 on됩니다.

참고 자료

없음