중앙대 전자회로설계실습 (예비) 8. MOSFET Current Mirror 설계 A+

소개글

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목차

1. 설계실습 계획서
1) 단일 Current Mirror 설계
2) Cascode Current Mirror 설계

본문내용

* 모든 계산결과는 반올림하여 유효숫자 세 자리까지만 사용한다.
그림 1의 회로와 같이 Current Source에서 M1 ,M2로는 2N7000 (Fairchild)을 이용하며 VCC = VDD = 10 V 인 경우, IREF = 10 mA인 전류원을 설계한다.
(A) 2N7000의 Data sheet로부터 (1/2)kn'(W/L)을 구한다.
사용한 수식 및 수치를 자세히 적어서 제출한다. (Gate Threshold Voltage와 On-Stage Drain Current이용)

Data sheet의 값을 아래의 식에 대입한다.
I_D=600mA, V_GS=4.5V, V_t=2.1V
I_D=1/2 k_n'W/L 〖(V_GS-V_t)〗^2
1/2 k_n'W/L=I_D/〖(V_GS-V_t)〗^2=600mA/〖(4.5-2.1)〗^2=104mA/V^2

(B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해서 M2의 VGS를 구하여라. 또한 VGS를 만족시키기 위한 R1값을 구하여라.

(A)에서 구한 값을 이용한다.
I_D=1/2 k_n'W/L 〖(V_GS-V_t)〗^2
10m=104.67m〖(V_GS-2.1)〗^2
∴V_GS=2.41V

VDD = 10 V 임을 고려해서 계산한다.
R1=(10-2.41)/10m=759Ω

참고 자료

없음